エッチング
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[[Memorandum]]
現場の即戦力シリーズ 改訂版 はじめての半導体ドライエッチ...
1 章 半導体集積回路の発展とドライエッチング技術
1.1 ドライエッチングの概要/ 1.2 ドライエッチン...
2 章 ドライエッチングのメカニズム
2.1 プラズマの基礎/ 2.2 イオンシースおよびイオ...
3 章 各種材料のエッチング
3.1 ゲートエッチング/ 3.2 SiO2 エッチング/ ...
4 章 ドライエッチング装置
4.1 ドライエッチング装置の歴史/ 4.2 バレル型プ...
5 章 ドライエッチングダメージ
5.1 Si 表層部に導入されるダメージ/ 5.2 チャージ...
6 章 新しいエッチング技術
6.1 Cu ダマシンエッチング/ 6.2 Low-k エッチング...
6.7 3D NAND/DRAM 用高アスペクト比ホールエッチング/ ...
7 章 アトミックレイヤーエッチング(ALE)
7.1 ALE の原理/ 7.2 ALE の特性/ 7.3 ALE シ...
8 章 ドライエッチング技術の今後の課題と展望
8.1 ドライエッチングにおける技術革新/ 8.2 今後...
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プラズマ半導体プロセス工学 成膜とエッチング入門 内田老...
市川幸美/佐々木敏明/堤井信力 著
目 次
第1章 プラズマと半導体プロセス
1. 半導体デバイス作製へのプラズマの応用/2. プラズマを...
第2章 半導体プロセス用プラズマの基礎
1. 直流放電/2. 高周波放電
第3章 半導体プロセス装置の概要
1. 真空系統/2. 反応室/3. 基板温度の制御/4. ガス系統...
第4章 プラズマCVD技術
1. 原理/2. 実験例―シリコン系薄膜の堆積―
第5章 薄膜の評価方法
1. 評価項目と測定方法/2. 膜厚/3. 屈折率/4. 吸収係数...
第6章 プラズマエッチング技術
1. 化学的なエッチングと物理的なエッチング/2. エッチン...
第7章 付章―プロセシングプラズマを理解するための基礎理論―
1. 気体の状態方程式と分子数密度/2. 処理表面への中性粒...
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プラズマ/プロセスの原理 第2版 2010年01月 丸善出版
第1章 序論
1.1 材料プロセス/ 1.2 プラズマとシース/ 1...
第2章 プラズマの基礎方程式と平衡状態
2.1 はじめに/ 2.2 電磁場方程式,電流,電圧の...
第3章 原子との衝突
3.1 基本的概念/ 3.2 衝突運動論/ 3.3 弾...
第4章 プラズマ運動論
4.1 粒子の基本的な働き/ 4.2 磁場がないときの...
第5章 拡散と輸送
5.1 基本的関係/ 5.2 拡散方程式の解/ 5.3...
第6章 直流シース
6.1 基本的概念と基礎方程式/ 6.2 ボームのシー...
第7章 化学反応と平衡状態
7.1 はじめに/ 7.2 エネルギとエンタルピー/ ...
第8章 分子との衝突
8.1 はじめに/ 8.2 分子構造/ 8.3 電子と...
第9章 化学運動論と表面プロセス
9.1 基本反応/ 9.2 気相運動論/ 9.3 表面...
第10章 放電中の粒子バランスおよびエネルギ・バランス
10.1 はじめに/ 10.2 電気的正性プラズマの平衡状...
第11章 容量性放電
11.1 一様密度モデル/ 11.2 不均一密度モデル/ ...
第12章 誘導性放電
12.1 高密度,低圧力放電/ 12.2 他の動作領域/ ...
第13章 電磁波加熱放電
13.1 電子サイクロトロン共振(ECR)放電/ 13.2...
第14章 直流放電
14.1 グロー放電の定性的特性/ 14.2 陽光柱の解析...
第15章 エッチング
15.1 エッチングの要求事項とプロセス/ 15.2 エッ...
第16章 デポジションとイオン注入
16.1 はじめに/ 16.2 プラズマ支援形のCVD/ ...
第17章 ダストがあるプラズマ
17.1 現象の定性的説明/ 17.2 粒子のチャージング...
第18章 放電の運動論
18.1 基本的概念/ 18.2 局部的運動/ 18.3 非...
付録
付録A 衝突運動/ 付録B 衝突積分/ 付録C 可変移...
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現場の即戦力シリーズ 改訂版 はじめての半導体ドライエッチ...
1 章 半導体集積回路の発展とドライエッチング技術
1.1 ドライエッチングの概要/ 1.2 ドライエッチン...
2 章 ドライエッチングのメカニズム
2.1 プラズマの基礎/ 2.2 イオンシースおよびイオ...
3 章 各種材料のエッチング
3.1 ゲートエッチング/ 3.2 SiO2 エッチング/ ...
4 章 ドライエッチング装置
4.1 ドライエッチング装置の歴史/ 4.2 バレル型プ...
5 章 ドライエッチングダメージ
5.1 Si 表層部に導入されるダメージ/ 5.2 チャージ...
6 章 新しいエッチング技術
6.1 Cu ダマシンエッチング/ 6.2 Low-k エッチング...
6.7 3D NAND/DRAM 用高アスペクト比ホールエッチング/ ...
7 章 アトミックレイヤーエッチング(ALE)
7.1 ALE の原理/ 7.2 ALE の特性/ 7.3 ALE シ...
8 章 ドライエッチング技術の今後の課題と展望
8.1 ドライエッチングにおける技術革新/ 8.2 今後...
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プラズマ半導体プロセス工学 成膜とエッチング入門 内田老...
市川幸美/佐々木敏明/堤井信力 著
目 次
第1章 プラズマと半導体プロセス
1. 半導体デバイス作製へのプラズマの応用/2. プラズマを...
第2章 半導体プロセス用プラズマの基礎
1. 直流放電/2. 高周波放電
第3章 半導体プロセス装置の概要
1. 真空系統/2. 反応室/3. 基板温度の制御/4. ガス系統...
第4章 プラズマCVD技術
1. 原理/2. 実験例―シリコン系薄膜の堆積―
第5章 薄膜の評価方法
1. 評価項目と測定方法/2. 膜厚/3. 屈折率/4. 吸収係数...
第6章 プラズマエッチング技術
1. 化学的なエッチングと物理的なエッチング/2. エッチン...
第7章 付章―プロセシングプラズマを理解するための基礎理論―
1. 気体の状態方程式と分子数密度/2. 処理表面への中性粒...
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プラズマ/プロセスの原理 第2版 2010年01月 丸善出版
第1章 序論
1.1 材料プロセス/ 1.2 プラズマとシース/ 1...
第2章 プラズマの基礎方程式と平衡状態
2.1 はじめに/ 2.2 電磁場方程式,電流,電圧の...
第3章 原子との衝突
3.1 基本的概念/ 3.2 衝突運動論/ 3.3 弾...
第4章 プラズマ運動論
4.1 粒子の基本的な働き/ 4.2 磁場がないときの...
第5章 拡散と輸送
5.1 基本的関係/ 5.2 拡散方程式の解/ 5.3...
第6章 直流シース
6.1 基本的概念と基礎方程式/ 6.2 ボームのシー...
第7章 化学反応と平衡状態
7.1 はじめに/ 7.2 エネルギとエンタルピー/ ...
第8章 分子との衝突
8.1 はじめに/ 8.2 分子構造/ 8.3 電子と...
第9章 化学運動論と表面プロセス
9.1 基本反応/ 9.2 気相運動論/ 9.3 表面...
第10章 放電中の粒子バランスおよびエネルギ・バランス
10.1 はじめに/ 10.2 電気的正性プラズマの平衡状...
第11章 容量性放電
11.1 一様密度モデル/ 11.2 不均一密度モデル/ ...
第12章 誘導性放電
12.1 高密度,低圧力放電/ 12.2 他の動作領域/ ...
第13章 電磁波加熱放電
13.1 電子サイクロトロン共振(ECR)放電/ 13.2...
第14章 直流放電
14.1 グロー放電の定性的特性/ 14.2 陽光柱の解析...
第15章 エッチング
15.1 エッチングの要求事項とプロセス/ 15.2 エッ...
第16章 デポジションとイオン注入
16.1 はじめに/ 16.2 プラズマ支援形のCVD/ ...
第17章 ダストがあるプラズマ
17.1 現象の定性的説明/ 17.2 粒子のチャージング...
第18章 放電の運動論
18.1 基本的概念/ 18.2 局部的運動/ 18.3 非...
付録
付録A 衝突運動/ 付録B 衝突積分/ 付録C 可変移...
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