SiO2Etching2
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開始行:
[[SiO2Etch]]
*序論
**1.7.3 課題のまとめ
これまで多く議論されてきたフルオロカーボンプラズマによ...
堆積性粒子の吸着は吸着サイト数に律速するラングミュア吸...
次に,エッチング速度がa-C:F 膜厚に逆比例する説明におい...
実効的なバイアスが基板に印加されている状態では,イオン...
以上のことから,表面反応モデリングをより現実に則したも...
1. 堆積性粒子の吸着はラングミュアモデルが相応しいか,
2. a-C:F 膜の堆積メカニズムは,
3. エッチング速度の決定はF の拡散律速か,
4. イオンエネルギーの影響,
などの点がまず解決することが望まれた.
**1.8 本論文の構成
// 以上述べてきたように,
半導体素子製造の発展は微細加工技術が大いに牽引してきた...
本章では,製造プロセスの現状と課題の検討を行い本研究の...
このフルオロカーボンプラズマによりシリコン酸化膜のエッ...
続いて第3章と第4章において,フルオロカーボンプラズマ...
次に,質量分離されたフルオロカーボン・イオンビームを照...
第4章ではエッチング中の表面をその場観察結果について説...
最後に,第5章では全体をまとめ,今後の展望について述べ...
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終了行:
[[SiO2Etch]]
*序論
**1.7.3 課題のまとめ
これまで多く議論されてきたフルオロカーボンプラズマによ...
堆積性粒子の吸着は吸着サイト数に律速するラングミュア吸...
次に,エッチング速度がa-C:F 膜厚に逆比例する説明におい...
実効的なバイアスが基板に印加されている状態では,イオン...
以上のことから,表面反応モデリングをより現実に則したも...
1. 堆積性粒子の吸着はラングミュアモデルが相応しいか,
2. a-C:F 膜の堆積メカニズムは,
3. エッチング速度の決定はF の拡散律速か,
4. イオンエネルギーの影響,
などの点がまず解決することが望まれた.
**1.8 本論文の構成
// 以上述べてきたように,
半導体素子製造の発展は微細加工技術が大いに牽引してきた...
本章では,製造プロセスの現状と課題の検討を行い本研究の...
このフルオロカーボンプラズマによりシリコン酸化膜のエッ...
続いて第3章と第4章において,フルオロカーボンプラズマ...
次に,質量分離されたフルオロカーボン・イオンビームを照...
第4章ではエッチング中の表面をその場観察結果について説...
最後に,第5章では全体をまとめ,今後の展望について述べ...
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