SiO2Etching32
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[[SiO2Etch]]
*2.9 電子スピン共鳴法による欠陥観察
電子スピン共鳴法について多くの解説がある[31–42]. ここ...
**2.9.1 Si/SiO2 系での常磁性欠陥
Si/SiO2 系での常磁性欠陥についてはLenahan [43] がレビュ...
***E’γ センタ
はじめに結晶SiO2 の常磁性欠陥について説明する.Weeks に...
アモルファスのSiO2 には,Griscom によって,ガンマ線照射し...
Lenahan らはアモルファスSiO2 薄膜にγ線を照射するとE セン...
Devine らによる248nm のレーザー光を300mJ/cm2 で照射して,...
***E’δ センタ
アモルファスのSiO2 バルク試料にx 線やガンマ線照射後にE...
Devine は紫外線(Kr プラズマ,10eV と10.6eV)を照射した...
Stesmans らはAr グロー放電中にSiO2 を設置すると表面10nm...
Griscom は四つのSi に共有される不対電子のモデルを提案し...
***Pb センタ
Si とSiO2 の界面の常磁性中心は,東芝のNishi らによって...
***その他のE' センタ
界面近傍のE'γ センタとしてhemi という意味でE'h センタと...
**2.9.2 アモルファスSi,C,SiC のESR
アモルファスSi のレビューはSolomon が報告している[94]....
***a-C
プロパンガスを使用してCVD 成膜したa-C 膜のスピン密度は∼...
***伝導電子
Wagoner は,伝導電子は室温でg∥=2.0026,g⊥=2.00495 のダ...
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[[SiO2Etch]]
*2.9 電子スピン共鳴法による欠陥観察
電子スピン共鳴法について多くの解説がある[31–42]. ここ...
**2.9.1 Si/SiO2 系での常磁性欠陥
Si/SiO2 系での常磁性欠陥についてはLenahan [43] がレビュ...
***E’γ センタ
はじめに結晶SiO2 の常磁性欠陥について説明する.Weeks に...
アモルファスのSiO2 には,Griscom によって,ガンマ線照射し...
Lenahan らはアモルファスSiO2 薄膜にγ線を照射するとE セン...
Devine らによる248nm のレーザー光を300mJ/cm2 で照射して,...
***E’δ センタ
アモルファスのSiO2 バルク試料にx 線やガンマ線照射後にE...
Devine は紫外線(Kr プラズマ,10eV と10.6eV)を照射した...
Stesmans らはAr グロー放電中にSiO2 を設置すると表面10nm...
Griscom は四つのSi に共有される不対電子のモデルを提案し...
***Pb センタ
Si とSiO2 の界面の常磁性中心は,東芝のNishi らによって...
***その他のE' センタ
界面近傍のE'γ センタとしてhemi という意味でE'h センタと...
**2.9.2 アモルファスSi,C,SiC のESR
アモルファスSi のレビューはSolomon が報告している[94]....
***a-C
プロパンガスを使用してCVD 成膜したa-C 膜のスピン密度は∼...
***伝導電子
Wagoner は,伝導電子は室温でg∥=2.0026,g⊥=2.00495 のダ...
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