SiO2Etching41 をテンプレートにして作成

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[[SiO2Etch]] *3.3 フルオロカーボンイオンと表面の相互作用 **3.3.1 はじめに 　フルオロカーボンプラズマにおけるエッチング表面反応は非... ***背景～F によるSi エッチング 　Winters とCoburn はアモルファスシリコンにXeF2(xenon dif... 1. ダメージ，励起表面，F 吸着サイトの形成， 2. 非平衡表面反応， 3. ２次電子放出， 4. 表面解離， 5. 加熱， 6. 電子励起 があげられている． ***背景～F によるSiO2 エッチング 　一方，アモルファスのSiO2 にXeF2 を曝してもエッチングは... 　Steinfeld らはCF2，CF3 のラジカルをSiO2 に暴露したが，S... 　Rossi とGolden らによっても同様の結果が得られている．Tu... 　Flamm とDonnelly らがにSiO2 表面にイオン照射でF 吸着の... **3.3.2 背景～分子動力学を用いた研究 　UCB 校*16のGraves のグループは，分子動力学計算によって... 　京都大学の浜口のグループのOhta らはSi-O-C-F 系のポテン... 　名古屋大学の菅井グループのToyoda らから，Graves らの分... ***背景～CF+x によるSi エッチング 　フルオロカーボンイオンのイオンビームを，ガスのイオン化... 　質量分離イオンビームはアモルファスカーボン（a-C）系の膜... 　他に，Hanley とSinott による有機物にCH 系やCF 系を照射... 　エッチングに関しては，日立のTachi らがアモルファスシリ... ***背景～CF+x によるSiO2 エッチング 　初期のCFx+ イオンの反応に関するビーム実験では，Gray ら... 　SiO2 表面ではO によるC 除去が働くため，C 堆積ではなくエ... 　東芝のSakai らは400eV のCF+ イオンをSiO2 に照射してエッ... ***背景～入射イオンについて 　本研究では実際のエッチング装置での入射イオン種について... 　また，本研究で使用する実験装置はKarahashi らによって開... • ラジカルを排してイオンとの表面の相互作用を解明する， • CF+ イオンでSiO2 表面にa-C:F 堆積が見られた現象の理由を... ことを目的とする． **3.3.3 実験装置 　図3.30 はイオン照射装置の概略図を示す．Ar 希釈のCF4 を... 　シリコン基板を熱酸化して作成した400nm のSiO2 膜を試料と... 　シリコン酸化膜厚は光学干渉膜厚計で屈折率1.465 を仮定し... ***XPS 測定 　表面組成はX 線光電子分光(XPS) 装置で調べた．ツインアノ... **3.3.4 結果～エッチングイールド 　500eV 以上のCFx(x=1-3) イオン照射を5e16 以上のドーズし... （式） で求められる．ここで，ρ はSiO2 の密度2.2 g cm−3，m は1mol... **3.3.5 結果～CF+ 照射の堆積過程 　300eV のCF+ イオンを照射した時の膜厚計でみられる変化を... もa-C:F 膜が堆積することがわかった． 　照射ドーズに依存した表面の状態を“その場”XPS で観察した... **3.3.6 考察 　エッチング初期の表面では物理スパッタリング起因のイール... **3.3.7 まとめ 　質量分離されたCF+ イオンをラジカルの影響を取り除いてSiO... のC 蓄積が2nm 程度に達するとエッチングが停止して，連続的... ----

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[[SiO2Etch]] *3.3 フルオロカーボンイオンと表面の相互作用 **3.3.1 はじめに 　フルオロカーボンプラズマにおけるエッチング表面反応は非... ***背景～F によるSi エッチング 　Winters とCoburn はアモルファスシリコンにXeF2(xenon dif... 1. ダメージ，励起表面，F 吸着サイトの形成， 2. 非平衡表面反応， 3. ２次電子放出， 4. 表面解離， 5. 加熱， 6. 電子励起 があげられている． ***背景～F によるSiO2 エッチング 　一方，アモルファスのSiO2 にXeF2 を曝してもエッチングは... 　Steinfeld らはCF2，CF3 のラジカルをSiO2 に暴露したが，S... 　Rossi とGolden らによっても同様の結果が得られている．Tu... 　Flamm とDonnelly らがにSiO2 表面にイオン照射でF 吸着の... **3.3.2 背景～分子動力学を用いた研究 　UCB 校*16のGraves のグループは，分子動力学計算によって... 　京都大学の浜口のグループのOhta らはSi-O-C-F 系のポテン... 　名古屋大学の菅井グループのToyoda らから，Graves らの分... ***背景～CF+x によるSi エッチング 　フルオロカーボンイオンのイオンビームを，ガスのイオン化... 　質量分離イオンビームはアモルファスカーボン（a-C）系の膜... 　他に，Hanley とSinott による有機物にCH 系やCF 系を照射... 　エッチングに関しては，日立のTachi らがアモルファスシリ... ***背景～CF+x によるSiO2 エッチング 　初期のCFx+ イオンの反応に関するビーム実験では，Gray ら... 　SiO2 表面ではO によるC 除去が働くため，C 堆積ではなくエ... 　東芝のSakai らは400eV のCF+ イオンをSiO2 に照射してエッ... ***背景～入射イオンについて 　本研究では実際のエッチング装置での入射イオン種について... 　また，本研究で使用する実験装置はKarahashi らによって開... • ラジカルを排してイオンとの表面の相互作用を解明する， • CF+ イオンでSiO2 表面にa-C:F 堆積が見られた現象の理由を... ことを目的とする． **3.3.3 実験装置 　図3.30 はイオン照射装置の概略図を示す．Ar 希釈のCF4 を... 　シリコン基板を熱酸化して作成した400nm のSiO2 膜を試料と... 　シリコン酸化膜厚は光学干渉膜厚計で屈折率1.465 を仮定し... ***XPS 測定 　表面組成はX 線光電子分光(XPS) 装置で調べた．ツインアノ... **3.3.4 結果～エッチングイールド 　500eV 以上のCFx(x=1-3) イオン照射を5e16 以上のドーズし... （式） で求められる．ここで，ρ はSiO2 の密度2.2 g cm−3，m は1mol... **3.3.5 結果～CF+ 照射の堆積過程 　300eV のCF+ イオンを照射した時の膜厚計でみられる変化を... もa-C:F 膜が堆積することがわかった． 　照射ドーズに依存した表面の状態を“その場”XPS で観察した... **3.3.6 考察 　エッチング初期の表面では物理スパッタリング起因のイール... **3.3.7 まとめ 　質量分離されたCF+ イオンをラジカルの影響を取り除いてSiO... のC 蓄積が2nm 程度に達するとエッチングが停止して，連続的... ----

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