SiO2Etching6 をテンプレートにして作成

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[[SiO2Etch]] *結論 **5.1 本研究の結論 　半導体素子製造の発展を牽引してきた微細加工技術の重要な... 　半導体素子のなかで絶縁膜として使われるシリコン酸化膜の... 　本研究では，所望のエッチング特性（形状や加工速度など）... ***(1) CFx ラジカルと表面の相互作用（第３章） 　エッチング中のa-C:F 膜の堆積過程で堆積レートを左右する... 　プラズマ密度ne が低密度（ne < 1011 cm−3）の場合は，これ... ***(2) CFx+ イオンと表面の相互作用（第３章） 　プラズマエッチングの垂直加工性がイオンによる反応によっ... 　これまで得られた知見は重要であるが，以下の点で不備であ... 　そこで，筆者はCFx+ の化学組成を質量分離によって変えられ... ***(3) エッチング中表面のその場観察（第４章） 　本研究で対象とするフルオロカーボンプラズマによるシリコ... 　このエッチング中のa-C:F 膜の堆積過程は，時間分解能2s 以... ***(4) 真空搬送電子スピン共鳴法による観察（第４章） 　さらに，本研究では表面反応の詳細を調べるために，化学結... 　この真空保持状態で搬送してESR 測定して新たに分ったこと... 　以上のように．絶縁膜としてのシリコン酸化膜のフルオロカ... **5.2 今後の課題と展望 　本研究の成果を踏まえて，次のような課題が挙げられる． ***(1) エッチング中のその場観察の時間分解能 　エッチング中の表面を赤外分光法を用いて“その場で”観察し... ***(2) 形状発展シミュレータへの組み込み 　次に，フルオロカーボンラジカルやイオンといった個々の化... ***(3) 表面反応の素過程の理解 　ここで，表面反応モデルを入射種と表面状態から脱離種など... して全体の表面反応モデルを構築することが重要だろう． ***(4) 真空搬送電子スピン共鳴法によるその場観察 　表面ダングリングボンドの“その場で”観察する点については... 　最後となるが，今後もさらなる現象の理解を進め，所望のエ... ----

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[[SiO2Etch]] *結論 **5.1 本研究の結論 　半導体素子製造の発展を牽引してきた微細加工技術の重要な... 　半導体素子のなかで絶縁膜として使われるシリコン酸化膜の... 　本研究では，所望のエッチング特性（形状や加工速度など）... ***(1) CFx ラジカルと表面の相互作用（第３章） 　エッチング中のa-C:F 膜の堆積過程で堆積レートを左右する... 　プラズマ密度ne が低密度（ne < 1011 cm−3）の場合は，これ... ***(2) CFx+ イオンと表面の相互作用（第３章） 　プラズマエッチングの垂直加工性がイオンによる反応によっ... 　これまで得られた知見は重要であるが，以下の点で不備であ... 　そこで，筆者はCFx+ の化学組成を質量分離によって変えられ... ***(3) エッチング中表面のその場観察（第４章） 　本研究で対象とするフルオロカーボンプラズマによるシリコ... 　このエッチング中のa-C:F 膜の堆積過程は，時間分解能2s 以... ***(4) 真空搬送電子スピン共鳴法による観察（第４章） 　さらに，本研究では表面反応の詳細を調べるために，化学結... 　この真空保持状態で搬送してESR 測定して新たに分ったこと... 　以上のように．絶縁膜としてのシリコン酸化膜のフルオロカ... **5.2 今後の課題と展望 　本研究の成果を踏まえて，次のような課題が挙げられる． ***(1) エッチング中のその場観察の時間分解能 　エッチング中の表面を赤外分光法を用いて“その場で”観察し... ***(2) 形状発展シミュレータへの組み込み 　次に，フルオロカーボンラジカルやイオンといった個々の化... ***(3) 表面反応の素過程の理解 　ここで，表面反応モデルを入射種と表面状態から脱離種など... して全体の表面反応モデルを構築することが重要だろう． ***(4) 真空搬送電子スピン共鳴法によるその場観察 　表面ダングリングボンドの“その場で”観察する点については... 　最後となるが，今後もさらなる現象の理解を進め，所望のエ... ----

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