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• プラズマエレクトロニクス講習会 へ行く。
  • 1 (2020-11-20 (金) 23:35:57)

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Seminar

第29回　2018年11月20日(火) 9:30〜19:00 †

• [第１部：プラズマ技術の基礎]
  • 1.『プラズマ生成制御（基礎から最新まで）』金子 俊郎（東北大学）
    • 非平衡プラズマを利用した微細加工技術や薄膜形成技術は、半導体デバイスの高集積化･高機能化を実現する上で重要な技術となっている｡高エネルギーイオン、電子、活性種等が混在した非平衡条件下で、化学的あるいは物理的な反応を理解して制御し、所望のプロセスを実現する必要がある。一方、大気圧下での非平衡プラズマを液体と接触させた気液界面プラズマは、プラズマ中および液体中で生成されるイオン、電子、活性種を制御することで、ナノ材料、医療・バイオ等の様々な分野に応用されている。本講義では、これらの低圧から大気圧までの非平衡プラズマの生成と制御方法について、基礎から最新の話題まで解説する。
  • 2.『発光によるプラズマ診断』佐々木　浩一（北海道大学）
    • プラズマから放射される可視・紫外波長域の発光を分析する発光分光法は，簡便でプラズマへの擾乱が少ない診断技術として広く利用されているが，分光の結果に基づいてプラズマに関する情報を適切に導出するためには，プラズマの平衡状態などに関する基礎的な理解が必要である。この講義では，プラズマ中での素過程からスタートし，プラズマの平衡状態の分類を経て，コロナ平衡の場合にラジカル密度の推定に利用可能なアクチノメトリー法について解説する。また，発光分光計測に必要なハードウエアおよびその動作原理についても解説する。
• [第２部：プラズマ技術の最前線]
  • 3.『最先端プラズマプロセスのシミュレーション』浜口 智志（大阪大学）
    • プラズマプロセスを理解し、効率よく活用するために、プラズマおよびプラズマ物質相互作用に関して、これまで、多くの物理モデルと数値シミュレーション手法が提案されてきた。本講義では、気相プラズマの流体シミュレーション、粒子シミュレーション、プラズマ液体相互作用シミュレーション、プロセス下におけるミクロ構造体形状変化シミュレーション、原子レベルのプラズマ物質相互作用解析分子動力学シミュレーション/第一原理シミュレーション等について、最先端研究の概要を紹介する。
  • 4.『プラズマプロセス装置開発最前線』康 松潤（東京エレクトロン）
    • 半導体デバイスの高集積化,微細化に伴い、半導体製造工程で用いられるプラズマプロセスおよび装置の技術的要求は非常に高くなっている。昨今、これらの課題を克服する手法として、表面反応を原子レベルで緻密にコントロールできるALEおよびALD技術が注目され、微細エッチングプロセスに適用され始めている。本講演では、ALE技術の概要を説明し、ALE技術を利用して開発された新規技術をMRAMなど最先端のデバイスに適用した結果を紹介する。
  • 5.『原子層エッチングプロセス』篠田 和典（日立製作所）
    • IoTの普及により半導体集積回路の三次元化／微細化が益々進んでおり、最小加工寸法が10 nmを切る今後の半導体製造プロセスには、原子層レベルの制御性でエッチングする技術が求められる。また，微細化限界後のポストスケーリング時代に向けて、新構造、新チャネル材料、積層化などが検討されており、その微細加工がキーとなる。本講演では各種材料の原子層エッチングプロセスについて、その基礎から最先端の研究開発事例までを、メーカで先端エッチングプロセスの開発に携わってきた講師が、実経験を交えながら分かり易く解説する。

第28回　2017年11月15日(水) 9:30〜19:00 †

• [第１部：プラズマ技術の最前線]
  • 1.『プロセスプラズマの計測・診断技術』中村 圭二（中部大学）
    • プラズマを使いこなすには、プロセスを左右する電子密度等のプラズマパラメータや化学的活性粒子などの基本的な振舞いをモニタしてよく理解する必要がある。講演では、表面波プローブなどの電気的手法や発光分光などの光学的手法を中心に、プロセスプラズマに適用できる各モニタリング手法について紹介し、その動作原理や導出法ならびに利用時の留意点等を解説する。また筆者が開発中プラズマ生成・計測の最先端技術にも触れたい。
  • 2.『プラズマによるデバイスへのダメージ』江利口 浩二（京都大学）
    • 最先端の集積回路では、最小寸法が10nmレベルのトランジスタが数十億個搭載され、そのトランジスタ構造も3次元化し、さらには集積回路自体も多層化（さらには集積回路自体も多層化（3次元化）している。このような領域では、プラズマと加工される材料（デバイス）との表面反応を原子レベルで制御することが必須である。しかながら元来、プラズマの高い反応性や表面に入射する高エネルギーイオンによる想定外の好ましくない機構（プラズマダメージ）が生じている。近年、プラズマダメージによるデバイス特性劣化や、デバイスの3次元化に伴う新しい機構が問題となっている。本講義ではプラズマダメージについてその形成メカニズムとデバイスへの影響、そしてその将来展望について論じる。
• 3.『最先端エッチング技術－ALEおよびHARC加工技術－』本田 昌伸（東京エレクトロン宮城）
  • 半導体デバイスの高集積化、微細化に伴い、半導体製造工程で用いられるプラズマエッチングへの技術的要求は非常に高くなっている。本講義では、微細加工、
    超高選択比、ダメージ低減などを実現するために開発されているAtomic Layer Etching (ALE) などの最先端エッチング技術の状況、および、近年非常に重要な役割を担っている高アスペクト比エッチング技術について解説を行う。
• ［第2部：プラズマプロセスの基礎］
  • 4.『ドライエッチングの基礎』野尻 一男（ラムリサーチ）
    • デバイスの高集積化が進むにつれ、ドライエッチングに課せられる要求はますます厳しくなってきている。ドライエッチングプロセスの開発に当っては、プラズマの中身と反応機構を考察しながらプロセスを組み立てることが重要である。本講義ではドライエッチングの反応機構、およびエッチングを支配するパラメータとその制御方法について解説する。また3次元メモリで要求されるHARCエッチングや、ロジックデバイスで一部使われ始めたALEの基本的なアプローチの仕方についても言及する。
  • 5.『各種ビームを用いた表面反応解析』唐橋 一浩（大阪大学）
    • 先端デバイスに求められている新構造や新材料に対する微細加工技術の開発のためには、エッチング反応を理解し制御することが不可欠であり、従来のプラズマモニタリング技術では困難である活性種毎の反応を評価することが重要となってきている。ビーム実験では、プラズマ中に含まれる活性種を独立に制御して表面に照射することで、擬似的にプラズマ中と同等な状態を超高真空の環境下の試料表面に再現し、脱離物および表面反応層の変化等を評価することが可能となる。本講習会では、ビーム実験を用いて明らかになった様々なエッチング反応について紹介する。

第27回　2016年11月18日(金) 9:30〜19:00 †

• ［第1部：プラズマ技術の最前線］
  • 1. 『先端半導体におけるプラズマエッチング』 根岸 伸幸（日立製作所）
    • 昨今、微細化の進展により、スケーリング則だけでは半導体デバイスの性能が向上しなくなっている。そのため、新構造や新材料の導入が検討され、それに対応してプラズマエッチングに要求される性能は益々厳しいものになっている。本講義では、プラズマエッチングの概要に触れた後、加工形状異常とその対策について、フロロカーボンプラズマを用いた高アスペクト比絶縁膜エッチングを例に解説する。また、低ダメージ、高選択プロセスの例として、ALE（Atomic Layer Etching）についても簡単に紹介する。
  • 2. 『熱プラズマによる有害物質分解』 渡辺 隆行（九州大学 ）
    • プラズマは環境保全に関する先端基盤技術であり、従来の方法では処理できない難処理物質や廃棄物を分解することができる。熱プラズマによる廃棄物処理では、高温の状態から急冷することによって、有害な副生成物の生成を阻止することができる。本講習会では、アーク放電や高周波放電等による熱プラズマの発生方法の原理と特徴などのプロセッシングにおいて必要な基礎知識を論じ、さらに廃棄物処理プロセスの最新の研究動向およびプロセスの原理を紹介する。
  • 3. 『プラズマシミュレーション』 小田 昭紀（千葉工業大学）
    • プラズマシミュレーションは、プラズマ診断と同様に、プラズマ中の物理化学現象を理解しプラズマプロセスを設計する上で非常に重要な技術である。本講義では、低圧プラズマおよび大気圧プラズマを対象とし、外部パラメータ（印加電圧、周波数、圧力など）と内部パラメータ（電子密度、電子温度など）との関係を含め、プラズマシミュレーションの基礎から最新の話題までを紹介する。
• ［第2部：プラズマプロセスの基礎］
  • 4. 『プラズマ計測・診断－反応性プラズマ中微粒子を心として－』古閑 一憲（九州大学）
    • 薄膜作製プロセスなどで用いられる反応性プラズマは、しばしば微粒子が発生し膜質に悪影響を及ぼす。特にサイズがナノメートルの微粒子（ナノ粒子）は計測難しく計測法限られている。本講義では発生・成長機構がよく調べられているシランプズマ中ナノ粒子を例にとり、反応性プラズマ中のナノ粒子発生機構について簡単に触れた後、種々のナノ粒子計測法を外がんする。主な計測法については、計測上の注意点など運用する上で考慮すべき点などを説明し実用に供したい。
  • 5. 『プラズマの生成と基礎』堀 勝（名古屋大学）
    • 低温プラズマは、ナノ加工から材料薄膜の形成や表面処理に至るまで広く使用されている。最近では、大気圧や液中でも低温プラズマを生成することが可能になり、材料プロセスのみらず、医療や農水産分野への応用が研究されている。これらのプラズマ技術を活用するためには、プラズマと材料・生体分野との相互作用に関する機序に基づいて最適なプラズマを生成し、精密に制御することが必要である。本講義では、プラズマの生成とその基礎プロセスを体系的に解説し、多様な応用に展開するためのアプローチについて述べる。

第26回　2015年11月20日(金) 9:30〜17:20 †

• ［第1部：プラズマプロセスの基礎］
  • ①「プラズマプロセスの基礎と計測」菅井秀郎（中部大学）
    • プラズマを使いこなすには、その基本的な振舞いを深く理解しておく必要がある。本講義では、プラズマのミクロな見方とマクロな見方から始め、次にプラズマの発生・消滅過程について述べ、さらに様々なプラズマの作り方を整理して紹介する。また、プラズマ制御に欠かせない計測法を概観し、実用的観点から各技術の得失を論じる。最後に、筆者が開発中のプラズマ生成・計測の最先端技術にも触れたい。
• ［第2部：プラズマ技術の最前線］
  • ②「半導体エッチング技術」辰巳哲也（ソニー）
    • ドライエッチング技術は反応性ガスから解離生成された活性な粒子を、イオン照射によって励起された表面に入射させ、揮発性の高い反応生成物を形成することにより、各種材料の加工を実現するプロセス技術の一つである。昨今の半導体デバイスの微細化、高機能化に伴い、この加工技術に対するニーズは年々厳しいものとなってきており、今後は原子分子レベルで形状やダメージの制御を行うことが求められる。本講義ではプラズマ中及び加工表面における反応を定量的に考え、如何に制御を行うかをフルオロカーボンプラズマを用いた絶縁膜加工を例にとり説明し議論を行う。
  • ③「プラズマCVD技術とALD応用」霜垣幸浩（東京大学）
    • （Atomic Layer Deposition（ALD、原子層堆積法）による薄膜合成は、ナノメートルレベルでの膜厚制御性、良好で緻密な薄膜形成に優れることから、先端半導体のゲート酸化膜やメモリキャパシタの形成に応用されている。ALDの基礎知識として、CVDの速度論から説明や、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標に、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムの解説、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した。
  • ④「医療・バイオ応用プラズマ技術」石川健治（名古屋大学）
    • 非平衡プラズマ技術が、昨今 医療・バイオ応用分野において活用され、その発展は著しい。我が国では、電機をはじめとする「ものづくり」基盤の強みがあり、デバイスの創製には一日の長があろう。半導体製造の表面反応の基礎は、殺菌や医療、診断といった分野でも、プラズマが生み出す電子・イオン・ラジカル・光とバイオ表面との相互作用が、プラズマ独自の新たな機能を創出している。このようなプラズマプロセスの新たな方向性と、基礎となる知識を概説したい。また本講演では、新学術領域研究「プラズマ医療科学の創成」（領域代表：堀勝）における がん治療、創傷治癒、遺伝子導入等への組織的な取り組みを交えて紹介する。

第25回　2014年11月26日(水) 9:30〜18:00 †

• ［第1部：プラズマプロセスの基礎］
  • ①「プラズマプロセスの基礎と素過程」浜口智志（阪大）
    • 周知のようにプラズマプロセスは、半導体超微細加工をはじめ、現代社会に必要不可欠な工業プロセスである。プラズマプロセスにおいて、プラズマは一般に、高エネルギーイオン、電子、光、ラジカル等の生成源であり、プラズマと物質の相互作用は、これらの混在した非平衡状態で進行する化学反応が主要な役割を担う。この点が、通常の化学プロセス（熱平衡プロセス）と大きく異なる点である。本講義では、プラズマと物質を構成する電子・原子・分子の相互作用を議論の中心にすえ、未だに十分理解されているとは言えないプラズマの気相の物理とプラズマ表面相互作用の科学について、基礎から最新の話題まで、わかりやすく紹介する。
  • ②「プラズマ計測と診断」佐々木浩一（北大）
    • 市販のプラズマ計測装置がほとんど存在しないという実情から、プラズマ実験者は、プラズマ計測技術の原理を理解し、自身の設計で計測装置を構築する必要に迫られる。本講義では、プラズマ実験についての初学者／初心者を対象に、基盤的なプラズマ計測技術であるプローブ計測法および発光分光計測法に関する基礎的解説を行う。次に、先進的プラズマ計測技術用いるとプラズマに関するどのような情報が得られるのかについての実例を紹介し、聴講者が自身のニーズにあったプラズマ計測技術を選定するための一助とする。
• ［第2部：プラズマ技術の最前線］
  • ③「大気圧プラズマ技術と成膜応用」垣内弘章（阪大）
    • 大気圧プラズマは、減圧プラズマに代わる新たなプラズマ源として、国内外を問わず活発に研究されている。大気圧プラズマを活用すれば、低温かつ高能率な製造プロセスの実現が期待できるため、誘電体バリア放電に代表される種々のプラズマ源が開発され、表面処理プロセスや薄膜作製プロセスに利用されつつある。本講義では、大気圧プラズマを成膜応用するにあたって是非必要と思われる大気圧プラズマの基礎概念や性質について述べるとともに、Siやその化合物材料の低温・高速成膜に関する研究例を紹介する。
  • ④「プラズマを用いた環境クリーン化技術」水野彰（豊橋科技大）
    • 近年、大気圧非平衡プラズマによる化学反応の利用が着目されており、空気浄化など環境のクリーン化を目指した実用化が進みつつある。本講義では、大気圧非平衡プラズマの基礎から、ラジカル反応選択性を高めるため触媒を併用するプラズマ発生方法、室内空気浄化技術、さらに、ガス状有機物（VOC）のプラズマアシスト燃焼による分解技術などを紹介し、大気圧非平衡プラズマ技術の今後の展望について論じる。
  • ⑤「半導体ドライエッチング技術」関根誠（名大）
    • ドライエッチング技術は半導体デバイスの著しい発展を支えてきた基幹プロセスであり、新たな材料、構造に対応しながら、ハード・プロセス技術の開発が基礎研究と共に進歩してきた。また最近では、MEMSや３次元実装などへの展開、原子層エッチングが新たなレベルで再び注目されるなど、常に進化し続けている。本講義では、エッチング技術の基本概念と技術発展の経緯を概説し、今後の課題と研究開発の方向を議論し、応用の可能性を展望する。
  • ⑥「プラズマエッチングプロセスの開発における数値解析の実問題への適用」田中潤一（日立中研）
    • 半導体分野の成熟と伴にプロセスコストの低減が重視されるようになり、プラズマを利用したエッチング装置の開発もその効率化が必要である。開発コストを低減する有力な手段の一つが数値解析の活用である。数値解析には、全てのプラズマエッチングの物理現象をシミュレーションで再現しようとするものから、物理モデルを考慮することなく多変量解析を用いて現象をモデル化する統計的なものまで幅広いアプローチがある。本講義では、いくつかの例を紹介し、数値解析を実際の装置やプロセス開発に活用するために必要な事柄を考える。

第24回　2013年11月8日（金） 9:30～18:00 †

• 第１部　プラズマプロセスの基礎(9:30～12：10)
  • 1. 『プラズマの基礎とＣＶＤ技術』　　大阪市立大学 白藤　立　先生
    • プラズマプロセスは、各種診断法によってその内部パラメータ（電子温度，電子密度，ラジカルフラックス，イオンフラックスなど）が解明され、普遍的な理解 が進んだ。この理解を基にして、適切なプロセス設計を行うためには、そうした内部パラメータと直接操作可能な装置パラメータ（圧力，流量，基板温度，装置 形状，印加電圧周波数など）との関係も知っておく必要がある。この関係はかなり複雑であるが、既知の報告例やシミュレーション結果を用いて説明し、プロセ ス設計に活かせる情報提供となるようにしたい。
  • 2. 『装置、計測とドライエッチング技術』　東京エレクトロン宮城（株） 大矢　欣伸　先生
    • ドライエッチングのプロセス開発においては、プラズマ源とガスケミストリーの選択を行った上で、エッチング条件を最適化していく必要がある。本講義では、 プロセスプラズマの物理と化学の原理を踏まえながら、どのようにプロセスを構築していくべきかの考え方を解説する。また、半導体製造装置開発の視点から、 光学的モニタリング技術や基盤的計測技術を中心にプラズマ計測法についても概説する。
• 第２部　プラズマ技術の最前線 (13:30～18:00)
  • 3.　『先端プロセスとプラズマダメージ』　京都大学 江利口　浩二　先生
    • 現在，最先端の集積回路では，最小寸法が20nmレベルのトランジスタが数十億個搭載されている．このような領域では，プラズマと加工される材料との反応 を原子レベルで制御することが必須である．しかしながら，プラズマの高い反応性による想定外の好ましくない反応（～プラズマダメージ）が生じ，近年，それ によるデバイス特性劣化が問題となっている．本講義ではプラズマダメージについてその形成メカニズムとデバイスへの影響，そしてその将来展望について論じ る．
  • 4.　『設備管理（EES/FDC等）技術』　パナソニック（株） 安田 哲 先生
    • 半導体業界では、デバイスの微細化に伴い、製造装置の変動による製品の歩留や品質低下が発生しやすくなっていることから、製造装置の管理技術の一つとしてEES技術（装置データのモニタリング）が近年注目され、活用されている。本技術には装置の異常検知（FDC: Fault Detection and Classification）や仮想計測（VM: Virtual Metrology）等があるが、それら技術の量産工場における実用化事例の最前線を紹介し、今後の展望、課題について論じる。
  • 5.　『マルチスケールシミュレーションによる半導体装置・プロセスの適正化』　（株）東芝 高木　茂行　先生
    • 半導体装置の反応やプロセスの加工形状をシミュレーションで予測し、適正化に結びつける多くの試みがなされてきたが、十分な成果をあげるまでには至らな かった。プロセス反応を気相、輸送、表面の３段階から成るマルチスケールでモデリングする方法、実験結果から反応定数を予測する手法を導入することで、実 プロセスの適正化を可能とした。本講義では、マルチスケールシミュレーションの例として酸化膜のドライエッチングを取り上げ、実プロセスへの適用例として LP-CVDの均一化、CVD装置のダスト低減、について論じる。
  • 6.　『プラズマを応用したナノバイオ技術』　　東京大学 　一木　隆範先生
    • 現在、プラズマ技術を如何にバイオ分野へと展開していくかが模索されている。機器、デバイスを医療や診断などのバイオ分野に利用する際に、生体や生体分子 に適合した表界面の形成は重要な課題であり、ここにプラズマのバイオ応用の機会が在ると期待されている。本講演では、バイオ界面工学の基礎的な知識を実例 を交えて概説し、プラズマ技術の特徴を他の表面技術との比較も含めて論じ、新たなプラズマ技術の方向性を考える。

23回　2012年11月14日（水） 9:30～18:00 †

• 第１部　プラズマプロセスの基礎 (9:30～12：30)
  • 1. 『プラズマの生成と制御・装置』　名古屋大学 堀 　勝　先生
    • プラズマの生成については、これまでプラズマ物理に基づいて解説されてきた。今回は、プラズマ化学を考慮したプロセスデザインという観点からプラズマ生成 と制御・装置について論じる。具体的には、装置に入力するパラメーターとプラズマの中の粒子（電子、イオン、ラジカル）やそれらの表界面反応との関係を分 かりやすく解説する。さらには平行平板容量結合型の装置から、誘導結合型および大気圧プラズマまでに至る最新のプラズマ装置のコンセプトと構造とプロセス 応用とを体系つけて論じる。
  • 2. 『表面反応の制御とドライエッチング技術』　ラムリサーチ（株） 野尻 一男 先生
    • デバイスの微細化が進むにつれ、ドライエッチングに課せられる要求はますます厳しくなってきている。ドライエッチングプロセス開発に当っては、プラズマの 中身と反応機構を考察しながらプロセスを組み立てることが非常に重要である。本講義では、被エッチ膜表面での反応に焦点を絞り、プラズマから被エッチ膜表 面への入射種とエッチレート、選択比、形状、ダメージとの相関関係、およびこれら加工特性の制御手法について解説する。
  • 3.『プラズマ計測/モニタリング技術』　名古屋大学 豊田 浩孝 先生
    • プラズマを診る技術は、プラズマ内部の物理化学現象の理解だけでなく、実プロセスの安定性評価の観点からも重要な技術である。 本講義では、生産装置にすでに導入されているモニタリング技術から、プラズマ中の詳細な物理化学過程を探るための高度なプラズマ計測技術までの光学的、電気的なさまざまなプラズマ計測法を概説する。
• 第２部　プラズマ技術の最前線 (13:30～18:00)
  • 4.　『シミュレーション技術』　慶應義塾大学 八木澤 卓 先生
    • プラズマプロセスは空間的・時間的に幅広く分布したマルチスケール問題で、対象となる物理現象も多岐にわたる。本講義では、各々の領域におけるシミュレー ション手法についての解説、およびシミュレーションを行う上での課題・解決策についての解説を行う。また、これからの「プロセス設計技術」という立場か ら、各種モニタリング技術や装置管理システムとの融合の可能性について論じる。
  • 5.　『大気圧プラズマとその応用』　東京工業大学 　野崎 智洋 先生
    • 大気圧プラズマの特徴は，大気圧気体，超臨界流体，液体，粉体，生体など反応性プラズマを形成する媒体を選ばない高いフレキシビリティーにある。その結 果，従来法にはない量産性と材料設計の高い自由度を兼ね備えた革新的プラズマプロセスを創出し，省エネルギー，低コスト，及び新規な機能材料開発等を実現 することが期待されている。本講義では，減圧プラズマと対比させながら大気圧プラズマの基礎を紹介したのち，関連技術の発展性について論じる。
  • 6.　『設備管理（EES/FDC等）技術』　ルネサスエレクトロニクス（株） 土山 洋史 先生
    • 先端の量産工場では、プロセスレシピの開発だけでは高精度化要求に対応することが困難になった。このため、安定な生産の実現のためには APC(Advanced Process Control)技術やFDC(Fault Detection and Control)技術などを主とした応用技術を展開する必要がある。本講義では、APC・FDC技術の概要と活用事例を紹介し、今後求められる技術の指向 性について議論を進める。
  • 7.　『DPS2011に見るプラズマ技術の新展開』　東北大学 木下 啓藏 先生
    • ドライプロセスシンポジウムでは歴史的に、薄膜デバイスのプロセス技術やメカニズム解析、プラズマ装置技術、in-situ計測技術に関する議論が行われ てきた。近年ではこれらに加えて、スピントロニクスやパワーデバイス向け新材料プロセスやダメージ制御、バイオ・メディカル、MEMS・実装、量産工場で のモニタリング技術にもスコープを拡大している。本講義では昨年のDPS2011で注目を集めた発表を中心に、最近のドライプロセス分野の注目トピックス に関して解説する。

22回　2011年10月27日（木）、28日（金） †

• 10月27日（木） 10：00～18：30
  • 1. プラズマ計測：電気的計測 中村　圭二（中部大学） (10:10 - 11:40)
  • 2. プラズマシミュレーション 山田　英明（産業技術総合研究所） (12:40 - 13:40)
  • 3. プラズマ計測：電気的計測＋実演 佐々木　浩一（北海道大学）、栗原　一彰（東芝） (13:50 - 15:50)
  • 4. プラズマの生成・制御 八木澤　卓（慶応大学） (16:00 - 17:00)
  • ポスターセッション・懇親会（生協） (17:10 - 18:30)
• 10月28日（金） 10：00～16：40
  • 特別テーマ１：大気圧プラズマ＋実演 北野　勝久（大阪大学） (10:00 - 11:40)
  • 特別テーマ２：MEMS 安部　隆（新潟大学） (13:00 - 14:00)
  • 5. プラズマによるグリーンイノベーション 布村　正太（産業技術総合研究所） (14:15 - 15:15)
  • 6. プラズマによるライフイノベーション 一木　隆範（東京大学） (15:30 - 16:30)

21回　2010年10月28日(木)-29日(金) †

• 10月28日（木） 10：00～18：00
  • 1. プラズマの生成・制御 菅井 秀郎　（中部大学）
  • 2. プラズマシミュレーション 田中 正明　（ペガサスソフトウェア）
  • 3. プラズマ計測：光学的計測 佐々木 浩一 （北海道大学）
  • 4. プラズマ計測：電気的計測 豊田 浩孝 　（名古屋大学）
  • ポスターセッション･懇談会 （特別共通展示「プラズマ技術の30年史」他）
• 10月29日（金） 10：00～16：40
  • 5. プラズマプロセス表面過程とデバイスダメージ 江利口 浩二 （京都大学）
  • 6. 大気圧プラズマＣＶＤによる高速成膜 垣内 弘章 　（大阪大学）
  • 7. 気体・液体プラズマによるクリーン化技術 栃久保 文嘉 （首都大学東京）
  • 8. WOWを用いた三次元積層技術 大場 隆之　　(東京大学)

20回　2009年10月29日(木)‐30日(金) †

• 10月29日（木）10:00～17:30
  • ①プラズマの生成・制御 節原裕一　（大阪大学) (10:10-11:40)
  • ②プラズマ計測 -電気的手法を中心として- 中村圭二　（中部大学) (13:00-14:00)
  • ③プラズマによる薄膜形成技術 宮崎誠一　（広島大学) (14:15-15:45)
• 10月30日（金）10:00～17:30
  • ④プラズマによるエッチング技術 江利口浩二　（京都大学) (10:10-11:40)
  • ⑤プラズマ計測：光学的計測 白谷正治　（九州大学) (13:00-14:00)
  • ⑥大気圧プラズマの生成と応用 奥村智洋　（パナソニック) (14:15-15:45)
  • ⑦プラズマの医療・バイオ応用 永津雅章　（静岡大学) (16:00-17:30)

19回　2008年10月30日(木)‐31日(金) †

• 10月30日（木）10:00～17:00
  • ①プラズマの生成・制御 菅井 秀郎（中部大学） (10:10-11:40)
  • ②プラズマ計測 赤塚 洋（東京工業大学） (13:00-14:30)
  • ③プラズマシミュレーション 田中 正明（ペガサスソフトウェア） (14:45-15:45)
• 10月31日（金）10:00～17:00
  • ④プラズマによる薄膜形成技術 佐々木 敏明（カネカ） (10:10-11:40)
  • ⑤プラズマによるエッチング技術 林 俊雄（名古屋大学） (13:00-14:30)
  • ⑥大気圧プラズマの応用 湯浅 基和（積水化学工業） (14:45-15:45)
  • ⑦液相プラズマの応用 秋山 秀典（熊本大学） (16:00-17:00)

18回 2007年11月1日(木)‐2日(金) †

場所:東京工業大学（大岡山キャンパス）百年記念館 ３F フェライト会議室

• 11月1日（木）10:00～18:00
  • ①量産応用のためのプラズマ生成とモニタリング技術（10：10－15：30）
  • 1．量産応用最先端プラズマ解析技術（10：10－11：10） 美舩章人（Spansion Japan）
  • 2. プラズマ生成と電子状態のIn-situ計測（11：10－12：10） 中村圭二（中部大学）
  • 3. 光学手法を用いたプラズマ計測（13：30－14：30） 中野俊樹（防衛大学）
  • 4. In-situ パーティクル計測（14：30－15：30） 島田 学（広島大学）
  • ②プラズマエレクトロニクス分科会特別講演（15：45－16：45）
  • 「２０３５年のプラズマ技術」 関根　誠（名古屋大学）
  • ③ショートプレゼンテーション（17：00－18：00）
• 11月2日（金）10:00～16:45
  • ④プラズマプロセスモデリングと将来技術の最前線（10：10－14：30）
  • 1. シリコン加工モデリング（10：10－11：10） 江利口浩二（京都大学）
  • 2. 絶縁膜加工モデリング（11：10－12：10） 八木澤　卓（慶応大学）
  • 3. 実用シミュレーション技術（13：30－14：30） 田中正明（ペガサスソフトウエア）
  • ⑤プラズマ技術の最新の応用（14：45－16：45）
  • 1. MEMS応用プラズマ技術（14：45－15：45） 森川泰宏（ULVAC）
  • 2. バイオチップ開発のためのプラズマアクティベーション（15：45－16：45） 齋藤永宏（名古屋大学）

17回 2006年10月5日-6日 †

場所: 東京工業大学大岡山キャンパス百年記念館

• 10 月5 日（木）10:00～18:00
  • (1)プラズマの計測・実践的発光分光 佐々木 浩一 先生（名古屋大学）
  • (2)プラズマの生成と制御 永津 雅章 先生（静岡大学）
  • (3)大気圧プラズマ技術：マイクロからメートルまで 寺嶋 和夫 先生（東京大学）
  • ポスター・ショートプレゼンテーション「プラズマプロセスの基礎と応用最前線」
• 10 月6 日（金）10:00～16:30
  • (4)プラズマCVD の気相・表面反応 白藤 立 先生（京都大学）
  • (5)真空生成・計測・制御技術 高橋 直樹 先生（アルバック）
  • (6)プラズマ加工技術とモニタリング 伊澤 勝 先生（日立製作所）
  • (7)プラズマデバイスの基礎とμTAS，バイオ応用 一木 隆範 先生（東京大学）

16回 2005年10月27日-28日 †

場所： 慶応義塾大学日吉キャンパス来往舎

• 10 月27 日（木）10:00〜18:00
  • (1)「プラズマの計測・実践的発光分光」 白谷正治 先生 （九州大）
  • (2)「プラズマの生成と制御方法」 板橋直志 先生 （日立製作所）
  • (3)「カーボン配線技術」 粟野祐二 先生 （富士通）
  • − ポスターセッション −「プラズマプロセシング最前線」
• 10 月28 日（金）10:00〜17:00
  • (4)「反応性プラズマ中の気相・表面反応」 斧 高一 先生 （京都大）
  • (5)「プラズマ加工技術」 藤原伸夫 先生 （ルネサステクノロジ）
  • (6)「プラズマ技術と光集積MEMS」 佐々木 実 先生 （東北大）
  • (7)「大気圧プラズマ技術とその応用」 水野 彰 先生 （豊橋技科大）

15回 2004年10月14日（木）-15日（金） †

場所: 慶應義塾大学　日吉キャンパス（神奈川県横浜市）

• 10/14
  • (1)プラズマの生成と制御法： 進藤春雄（東海大）
  • (2)反応性プラズマ中の気相・表面反応：堀勝（名大）
  • (3)プラズマの計測・モニタリング手法： 豊田浩孝（名大）
  • (4)Sub-100 nmデバイスの製造最前線－プラズマ装置技術，エッチング/CVDプロセス技術，APC（Advanced Process Control）量産技術，装置＆プロセス設計を支援するシミュレーション技術－，ポスター発表
• 10/15
  • (5)フォトニック結晶とプラズマプロセス： 高橋千春（NTT-AT）
  • (6)MEMSとプラズマプロセス： 小野崇人（東北大）
  • (7)プラズマCVDによる配向カーボンナノチューブ成長：林康明（京都工繊大）
  • (8)プラズマイオン注入体積プロセスとその応用： 行村建（同志社大）
  • (9)大気圧プラズマと環境ビジネス： 葛本昌樹（三菱電機）

14回 2003年9月11日-12日 †

場所: 東洋大学 白山キャンパススカイホール

• ９月１１日(木)
  • 1. 大気圧プラズマプロセスの可能性 岡崎 幸子(上智大学)
  • 2. 大気圧プラズマ生成と応用技術 小駒 益弘 (上智大学)
  • 3. ウェハーエッチングプラズマシステムの設計とプロセス構築 寒川 誠二 (東北大学)
  • ショートプレゼンテーション・ポスター展示
• ９月１２日(金)
  • 5. 高気圧プラズマ装置とプロセス構築 寺嶋 和夫 (東京大学)
  • 6. シミュレーションによるプロセス・システム構築 浜口 智志 (京都大学)
  • 7. バイオMEMS,μTAS 応用プラズマの装置とプロセス設計 一木 隆範 (東洋大学)

13回 2002 年11月11日（月）-12日（火） †

場所: 東京大学農学部 弥生講堂・一条ホール

• １１月１１日（月）
• 第一部 : プラズマシステム計測
  • 1. プローブ計測法の実際と解析手法　(10:30-11:50) 中村　圭二（中部大学）
    2. 発光分光計測技術の実際と解析手法 (13:00-14:20） 佐々木　浩一 （名古屋大学）
    3. 吸収分光計測技術の実際と解析手法 (14:30-15:50) 堀　勝 （名古屋大学）
    4. インピーダンス計測とプラズマ特性解析への応用 (16:00-17:20) 川田　博昭 （大阪府立大学）
• １１月１２日（火）
  • 第二部 : 表面計測とプロセス構築、機器展示・デモ
  • 5. 実践的エリプソメトリー計測・解析技術 (9:30-10:50) 藤原　裕之 （産業技術総合研究所）
  • 6. 実践的ＸＰＳ計測と解析技術 (11:00-12:20) 村岡　浩一 （東芝RDC）
  • 7. 計測機器展示・デモ、パネル説明 (12:30-14:30)
  • 8. エッチングプロセス構築手法 (14:40-16:00) 辰巳哲也（ソニー）
  • 9. CVD プロセス構築手法 (16:10-17:30) 霜垣　幸浩 （東京大学）

12回 2001年12 月17 日（月）-18 日（火） †

• 関東地区：12月17 日（月）
  • １．シリコンプラズマCVD における現状と今後の課題 白井 肇（埼玉大学工学部）
  • ２．次世代極薄ゲート絶縁膜の材料と形成方法 辰巳 徹 （日本電気（株））
  • ３．Low-k 膜のCVD 白藤 立 （京都大学国際融合創造センター）
• 関西地区：12 月18日（火）
  • ４．プロセスシミュレーション 浜口 智志 （京都大学エネルギー科学研究科）
  • ５．プロセスプラズマの状態を知る（プラズマ診断） 三重野 哲 （静岡大学理学部）
  • ６．半導体表面・界面反応の赤外分光高感度モニタリング 庭野 道夫 （東北大学電気通信研究所）

11回 2000年11月6日(月)-7日(火) †

場所: 東京工業大学(大岡山キャンパス)百年記念館

• 11月6日(月)
  • 反応性プラズマの基礎 豊田浩孝(名古屋大学大学院工学研究科電気工学専攻）
  • エッチングプラズマの気相反応過程 中村圭二(中部大学工学部電気工学科)
  • プラズマエッチングにおける表面反応 中村守孝(富士通（株）あきる野テクノロジーセンター)
• 11月7日(火)
  • 無機系材料の反応性プラズマエッチング 寒川誠二(東北大学流体科学研究所)
  • NLDプラズマによるLow-k エッチング 林俊雄(日本真空（株）技術開発部)
  • 無機系材料のスパッタエッチング 大森達夫(三菱電機（株）先端技術総合研究所)

10回 1999年11月19日-19日 †

場所: 慶應義塾大学日吉キャンパス藤山記念館

• 11月18日(木)
  • 1. RFによる高密度プラズマ生成 篠原俊二郎(九州大学総理工)
  • 2. プラズマ診断法 －気相における荷電粒子、中性活性粒子計測の原理と実際－ 佐々木浩一(名古屋大学工学研究科)
  • 3. プロセスプラズマとガス流れの粒子モデリング 南部健一(東北大学)
• 11月19日(金)
  • 4. ドライエッチングにおける表面反応 斧 高一(京都大学工学研究科)
  • 5. プラズマプロセス装置の実際 (ポスター)
  • 6. 成膜プロセスにおける表面反応 白藤 立(京都工芸繊維大学)

9回 1999年1月21日（木）-22日（金） †

場所: KKR鎌倉わかみや

• 1/21
  • 1. 「次世代デバイスのプラズマプロセスにおける課題」
  • (1)次世代デバイス用プラズマＣＶＤプロセスの現状と課題 五味 秀樹(NEC) 10:00 - 11:00
  • (2)次世代デバイス用エッチングプロセスの課題 宮武　浩（三菱電機） 11:00 - 12:00
  • 2. 「モデリング／シミュレーション」 真壁利明（慶應大） 13:30 - 14:30
  • 3. 「プラズマ装置におけるダスト発生とピュリフィケーション」 渡辺征夫（九州大） 14:30 - 15:30
  • 4. プラズマプロセシングQ&A 16:00 - 17:00
• 1/22
  • 5. 「アモルファスシリコン、微結晶シリコンの最近の話題」 松田彰久（電総研） 10:00 - 11:00
  • 6. 「新しいプラズマプロセスとその応用」 藤山 寛（長崎大） 11:00 - 12:00
  • 7. プラズマプロセシングQ&A 12:00- 13:00
  • 見学：ＡＳＥＴ（技術研究組合超先端電子技術開発機構）横浜研究センター

8回 †

7回 1996年11月14日(木)-15日(金) 10:00～17:00 †

場所: 慶応義塾大学・藤山記念会館

• (1)RFプラズマの放電基礎過程－平行平板からICPまで－ 真壁利明(慶大理工)
• (2)プラズマ生成制御における磁場のメリットとデメリット 菅井秀郎(名大工)
• (3)高密度プラズマにおけるラジカルの診断と制御－気相から表面反応まで－ 堀　勝(名大工)
• (4)プラズマプロセスにおけるガス流れの構造と制御 南部健一(東北大流体研)
• (5)プラズマプロセスにおけるイオンとラジカルのエネルギーと方向性の制御 斧高一(三菱電機)
• (6)パルス放電によるプラズマ状態の制御と高精度プラズマプロセスへの展開 寒川誠二(NEC)