Book01 をテンプレートにして作成

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[[Book]] １３－１－１．シリコン基板の洗浄 *はじめに 　半導体による集積回路(ULSI)はシリコン基板(ウェハ)の表面... 　歴史的にMOS型トランジスタは、よくいわれる「スケーリング... 　本節では、別の観点からMOSトランジスタのシリコン基板とゲ... 化学酸化膜の構造 　シリコン基板は洗浄される。微粒子、金属、有機物などの汚... 　シリコン表面状態の評価手法には多くあるが、ここでは赤外... 　シリコン基板をフッ酸処理して酸化膜を除去した後に、化学... 　はじめに、評価分析手法としてIR-RAS測定を行い、Si-O結合... 　各処理の化学酸化膜において、特徴的なスペクトルが見られ... 　同時にIR-ATR測定による評価を行い、各化学酸化膜に存在す... 　次に、各処理の後に別の薬液で処理した場合に最終的に形成... 　このように薬液処理を順次おこなった場合に、順番により結... 　以上の通り、シリコン表面の化学酸化膜の形成において、使... *シリコン表面のマイクロラフネス 　極薄のゲート絶縁膜を形成するのであるから、制御されずに... 　シリコン酸化膜の剥離は、薬液処理ではフッ酸(DHF)や緩衝し... 　では、(111)面で原子平坦面が構成される理由はなぜか？水素... 　一方、pHの低いフッ酸ではシリコンのエッチングは皆無であ... 　原子的に平坦なシリコン面は、赤外光電場を偏光した全反射... 　この試料を、溶存酸素量を1ppbに調整した5%の希釈フッ酸に... 　このことは、溶存する酸素によってシリコン面が微視的に酸... 　フッ酸と溶存酸素のケースのように、微視的な酸化とエッチ... 　SiO2/Siの界面ラフネスは、SiO2を形成する方法で大きく変わ... 　化学酸化膜での説明同様、酸化プロセスによって最終的な界... *まとめ 　エレクトロニクス分野の中で、MOSトランジスタの作製に関わ... *参考文献 -[1] C. R. Inomata, H. Ogawa, K. Ishikawa, S. Fujimura, J... -[2] K. Ishikawa, H. Ogawa, S. Fujimura, J. Appl. Phys. 8... -[3] T. Takahagi, I. Nagai, A. Ishitani, H. Kuroda, and Y... -[4] G. S. Higashi, V. J. Chabal, G. W. Trucks, and K. Ra... -[5] G. S. Higashi, H. S. Becker, Y. J. Chabal, and A. J.... -[6] S. Watanabe, M. Shigeno, N. Nakayama, T. Ito, Jpn. J... -[7] H. Ogawa, K. Ishikawa, M. T. Suzuki, Y. Hayami, S. F... -[8] S. Watanabe, M. Shigeno, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 170... -[9] K. Akiyama, N. Naito, M. Nagamori, H. Koya, E. Morit... -[10] H. Morinaga, K. Shimaoka, T. Ohmi, J. Electrochem. ... -[11] M. Niwa, H. Iwasaki, Y. Watanabe, I. Sumita, N. Aka... -[12] M. Niwa K. Okada, R. Sinclair, Appl. Surf. Sci. 100... (c) Kenji Ishikawa

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[[Book]] １３－１－１．シリコン基板の洗浄 *はじめに 　半導体による集積回路(ULSI)はシリコン基板(ウェハ)の表面... 　歴史的にMOS型トランジスタは、よくいわれる「スケーリング... 　本節では、別の観点からMOSトランジスタのシリコン基板とゲ... 化学酸化膜の構造 　シリコン基板は洗浄される。微粒子、金属、有機物などの汚... 　シリコン表面状態の評価手法には多くあるが、ここでは赤外... 　シリコン基板をフッ酸処理して酸化膜を除去した後に、化学... 　はじめに、評価分析手法としてIR-RAS測定を行い、Si-O結合... 　各処理の化学酸化膜において、特徴的なスペクトルが見られ... 　同時にIR-ATR測定による評価を行い、各化学酸化膜に存在す... 　次に、各処理の後に別の薬液で処理した場合に最終的に形成... 　このように薬液処理を順次おこなった場合に、順番により結... 　以上の通り、シリコン表面の化学酸化膜の形成において、使... *シリコン表面のマイクロラフネス 　極薄のゲート絶縁膜を形成するのであるから、制御されずに... 　シリコン酸化膜の剥離は、薬液処理ではフッ酸(DHF)や緩衝し... 　では、(111)面で原子平坦面が構成される理由はなぜか？水素... 　一方、pHの低いフッ酸ではシリコンのエッチングは皆無であ... 　原子的に平坦なシリコン面は、赤外光電場を偏光した全反射... 　この試料を、溶存酸素量を1ppbに調整した5%の希釈フッ酸に... 　このことは、溶存する酸素によってシリコン面が微視的に酸... 　フッ酸と溶存酸素のケースのように、微視的な酸化とエッチ... 　SiO2/Siの界面ラフネスは、SiO2を形成する方法で大きく変わ... 　化学酸化膜での説明同様、酸化プロセスによって最終的な界... *まとめ 　エレクトロニクス分野の中で、MOSトランジスタの作製に関わ... *参考文献 -[1] C. R. Inomata, H. Ogawa, K. Ishikawa, S. Fujimura, J... -[2] K. Ishikawa, H. Ogawa, S. Fujimura, J. Appl. Phys. 8... -[3] T. Takahagi, I. Nagai, A. Ishitani, H. Kuroda, and Y... -[4] G. S. Higashi, V. J. Chabal, G. W. Trucks, and K. Ra... -[5] G. S. Higashi, H. S. Becker, Y. J. Chabal, and A. J.... -[6] S. Watanabe, M. Shigeno, N. Nakayama, T. Ito, Jpn. J... -[7] H. Ogawa, K. Ishikawa, M. T. Suzuki, Y. Hayami, S. F... -[8] S. Watanabe, M. Shigeno, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 170... -[9] K. Akiyama, N. Naito, M. Nagamori, H. Koya, E. Morit... -[10] H. Morinaga, K. Shimaoka, T. Ohmi, J. Electrochem. ... -[11] M. Niwa, H. Iwasaki, Y. Watanabe, I. Sumita, N. Aka... -[12] M. Niwa K. Okada, R. Sinclair, Appl. Surf. Sci. 100... (c) Kenji Ishikawa

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