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*1.はじめに
半導体デバイス製造はナノメータレベルで行われ、この加工...
*2.ドライ洗浄の要件と方式[1,2]
半導体洗浄における被処理対象物は、Siウェハ上の微量残留...
例えば、成膜の前に表面の汚染被膜の除去は不可欠である。...
そこで、適切なガス化学反応を利用すれば、基板に損傷を与...
微量金属の残留は半導体デバイスの性能を劣化させるので、...
簡単に述べてきたが、以上の手法を組み合わせて、ウェハバ...
*3.微量金属汚染除去[3-6]
金属汚染は、ゲート絶縁膜の信頼性低下やダイナミックラン...
図1
*4.シリコン表面の自然酸化膜除去[8-13]
基板へのコンタクトの形成プロセスには、ホール底面自然酸...
一方、側壁材料として使われていたボロン・リン添加化学気...
これまでに、NF3/NH3[7]やH2/NF3リモートプラズマを用いた...
一方、水素+水プラズマと、そのダウンフロー領域におけるN...
図4には水素ダウンフロー装置の概要図を示す。マイクロ波キ...
図4
図4 水素ダウンフロー装置の概略図
また、水素ダウンフロー処理後のウェハ上には反応副生成物...
HF/H2O蒸気処理やリモートプラズマ処理のエッチング量は温...
図5
図5 エッチング量のウェハ温度依存性;BPSGと熱酸化膜
以上のことは水素ダウンフロー処理の反応機構が、表面への...
では、NH4Fがエッチングに有効に働いた点を考えると、溶液...
他にも処理圧力依存性を見た場合、150Pa以下ではエッチング...
*6.今後の展望とまとめ
半導体デバイス製造のプロセスは、薄膜形成、パターニング...
また、昨今新しい材料の導入は避けられない方向である。こ...
さらに洗浄の目的には次の工程前の表面を制御することにあ...
半導体洗浄工程のドライ化は、デバイスの微細化、省エネル...
*謝辞
本文をまとめるにあたり、杉野林志氏、菊地純氏、小川洋輝...
*参考文献
-[1] 伊藤隆司ら、”ドライ洗浄技術~半導体製造~”、精密工学...
-[2] 小川洋輝ら、”はじめての半導体洗浄技術”、工業調査会 (...
-[3] R. Sugino, et al., "Removal of Fe and Al on a Silico...
-[4] Y. Sato, et al., "Electrical characteristics of sili...
-[5] R. Sugino, et al., "Dry cleaning for Fe contaminants...
-[6] R. Sugino, et al., "Removal of Fe contaminants in Si...
-[7] H. Nishino, et al., " Damage-free selective etching ...
-[8] J. Kikuchi, et al., "Native oxide removal on Si surf...
-[9] J. Kikuchi, et al., "Cleaning of silicon surfaces by...
-[10] 長坂光明ら、”水素+水蒸気プラズマダウンフローへのNF...
-[11] M. Suzuki, et al., "Etching characteristics during ...
-[12] H. Ogawa, et al., "In-situ observation of Si native...
-[13] 石川健治ら、”水素ダウンフロー処理によるコンタクトホ...
-[14] Ueno, et al., "Low resistance copper via technology...
-[15] H. Ogawa, et al., ICMI (2002).
-[16] K. Ishikawa, et al., "Vapor treatment of copper sur...
-[17] T. Yagishita, et al., "Mechanisms of vapor cleaning...
-[18] T. Yagishita, et al., "Cleaning of copper surface u...
-[19] 柳下皓男ら、”有機酸蒸気による銅表面清浄化検討”、第6...
(c) Kenji Ishikawa
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*1.はじめに
半導体デバイス製造はナノメータレベルで行われ、この加工...
*2.ドライ洗浄の要件と方式[1,2]
半導体洗浄における被処理対象物は、Siウェハ上の微量残留...
例えば、成膜の前に表面の汚染被膜の除去は不可欠である。...
そこで、適切なガス化学反応を利用すれば、基板に損傷を与...
微量金属の残留は半導体デバイスの性能を劣化させるので、...
簡単に述べてきたが、以上の手法を組み合わせて、ウェハバ...
*3.微量金属汚染除去[3-6]
金属汚染は、ゲート絶縁膜の信頼性低下やダイナミックラン...
図1
*4.シリコン表面の自然酸化膜除去[8-13]
基板へのコンタクトの形成プロセスには、ホール底面自然酸...
一方、側壁材料として使われていたボロン・リン添加化学気...
これまでに、NF3/NH3[7]やH2/NF3リモートプラズマを用いた...
一方、水素+水プラズマと、そのダウンフロー領域におけるN...
図4には水素ダウンフロー装置の概要図を示す。マイクロ波キ...
図4
図4 水素ダウンフロー装置の概略図
また、水素ダウンフロー処理後のウェハ上には反応副生成物...
HF/H2O蒸気処理やリモートプラズマ処理のエッチング量は温...
図5
図5 エッチング量のウェハ温度依存性;BPSGと熱酸化膜
以上のことは水素ダウンフロー処理の反応機構が、表面への...
では、NH4Fがエッチングに有効に働いた点を考えると、溶液...
他にも処理圧力依存性を見た場合、150Pa以下ではエッチング...
*6.今後の展望とまとめ
半導体デバイス製造のプロセスは、薄膜形成、パターニング...
また、昨今新しい材料の導入は避けられない方向である。こ...
さらに洗浄の目的には次の工程前の表面を制御することにあ...
半導体洗浄工程のドライ化は、デバイスの微細化、省エネル...
*謝辞
本文をまとめるにあたり、杉野林志氏、菊地純氏、小川洋輝...
*参考文献
-[1] 伊藤隆司ら、”ドライ洗浄技術~半導体製造~”、精密工学...
-[2] 小川洋輝ら、”はじめての半導体洗浄技術”、工業調査会 (...
-[3] R. Sugino, et al., "Removal of Fe and Al on a Silico...
-[4] Y. Sato, et al., "Electrical characteristics of sili...
-[5] R. Sugino, et al., "Dry cleaning for Fe contaminants...
-[6] R. Sugino, et al., "Removal of Fe contaminants in Si...
-[7] H. Nishino, et al., " Damage-free selective etching ...
-[8] J. Kikuchi, et al., "Native oxide removal on Si surf...
-[9] J. Kikuchi, et al., "Cleaning of silicon surfaces by...
-[10] 長坂光明ら、”水素+水蒸気プラズマダウンフローへのNF...
-[11] M. Suzuki, et al., "Etching characteristics during ...
-[12] H. Ogawa, et al., "In-situ observation of Si native...
-[13] 石川健治ら、”水素ダウンフロー処理によるコンタクトホ...
-[14] Ueno, et al., "Low resistance copper via technology...
-[15] H. Ogawa, et al., ICMI (2002).
-[16] K. Ishikawa, et al., "Vapor treatment of copper sur...
-[17] T. Yagishita, et al., "Mechanisms of vapor cleaning...
-[18] T. Yagishita, et al., "Cleaning of copper surface u...
-[19] 柳下皓男ら、”有機酸蒸気による銅表面清浄化検討”、第6...
(c) Kenji Ishikawa
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