SiO2Etching31 をテンプレートにして作成

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[[SiO2Etch]] *2.7 シリコン酸化膜の誘電関数 **2.7.1 極薄ゲート酸化膜の評価を例として 　赤外スペクトルの測定手法は量産現場でモニタウェハの非破... 　シリコン酸化膜の赤外分光測定を行うことにより • 赤外吸収ピークの熱処理温度依存性， • 赤外吸収ピークの膜厚方向の変化，特に界面近傍の変化， • 酸化膜構造の統計的な分布， • 界面凹凸が赤外スペクトルに与える影響について， 調べられる．シリコン酸化膜の赤外スペクトルを斜入射測定す... 　過去行われてきたシリコン熱酸化膜の物理化学構造に関する... よって報告された[18]． 図2.5 に粘性流動の概念図を引用する... 　シリコン酸化膜の熱処理温度の依存性について赤外分光の垂... 　極薄膜の評価においては透過法は感度が不足するため，高感... 　LO モードの低波数シフトに関しては，別の系であるが結晶中... 　界面凹凸の部分では，理想的な平坦界面を想定すると，シリ... **2.7.2 シリコン酸化膜の赤外スペクトル 　シリコン酸化膜の赤外スペクトルは，450cm−1 に横揺れ（ロ... 　通常の垂直入射測定ではTO モードのみの観察しかできないが... 　乾燥酸素雰囲気中800◦C で30nm の酸化膜を形成し，その後Ar... 　熱処理温度でLO モードにシフトが見られないことから，垂直... 　以上の観察結果からモードによってシフトするものとしない... **2.7.3 構造分布の評価 　酸化膜構造の統計的な分布は，電気的な破壊や劣化の原因と... 　構造分布を抽出するために実際のピーク形状を観察すると非... 　実際のスペクトルを非対称ガウス型誘電関数モデルによって... 　フィッティング結果（表2.3）からシリコン酸化膜のSi-O-Si ... **2.7.4 膜厚方向分布の評価 　スケーリング則による要求によりゲート酸化膜の厚さは，1.5... 　界面構造遷移層の厚さと構造を明らかとするために酸化膜の... **2.7.5 界面凹凸の赤外スペクトルへの影響 　シリコン／酸化膜界面には界面凹凸が存在することが知られ... 有効媒質近似の平均電場Eav と平均分極Pav は（式）と（式）... 　膜厚の異なるスペクトルのLO モードの変化は，図2.29 に示... **2.7.6 まとめ 　ULSI デバイスの高集積化の進展に伴い，デバイスの電気的な... 　酸化膜の熱処理温度依存性は，TO1 やTO2，TO4 では大きく現... 　界面構造遷移層の厚さと構造を明らかとするため，膜厚方向... *2.8 フルオロカーボン膜の誘電関数 **2.8.1 フルオロカーボン膜の赤外スペクトル 　赤外スペクトルでアモルファスフルオロカーボン（a-C:F）膜... 　これまで報告されているCF 結合に由来するピークの同定結果...

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[[SiO2Etch]] *2.7 シリコン酸化膜の誘電関数 **2.7.1 極薄ゲート酸化膜の評価を例として 　赤外スペクトルの測定手法は量産現場でモニタウェハの非破... 　シリコン酸化膜の赤外分光測定を行うことにより • 赤外吸収ピークの熱処理温度依存性， • 赤外吸収ピークの膜厚方向の変化，特に界面近傍の変化， • 酸化膜構造の統計的な分布， • 界面凹凸が赤外スペクトルに与える影響について， 調べられる．シリコン酸化膜の赤外スペクトルを斜入射測定す... 　過去行われてきたシリコン熱酸化膜の物理化学構造に関する... よって報告された[18]． 図2.5 に粘性流動の概念図を引用する... 　シリコン酸化膜の熱処理温度の依存性について赤外分光の垂... 　極薄膜の評価においては透過法は感度が不足するため，高感... 　LO モードの低波数シフトに関しては，別の系であるが結晶中... 　界面凹凸の部分では，理想的な平坦界面を想定すると，シリ... **2.7.2 シリコン酸化膜の赤外スペクトル 　シリコン酸化膜の赤外スペクトルは，450cm−1 に横揺れ（ロ... 　通常の垂直入射測定ではTO モードのみの観察しかできないが... 　乾燥酸素雰囲気中800◦C で30nm の酸化膜を形成し，その後Ar... 　熱処理温度でLO モードにシフトが見られないことから，垂直... 　以上の観察結果からモードによってシフトするものとしない... **2.7.3 構造分布の評価 　酸化膜構造の統計的な分布は，電気的な破壊や劣化の原因と... 　構造分布を抽出するために実際のピーク形状を観察すると非... 　実際のスペクトルを非対称ガウス型誘電関数モデルによって... 　フィッティング結果（表2.3）からシリコン酸化膜のSi-O-Si ... **2.7.4 膜厚方向分布の評価 　スケーリング則による要求によりゲート酸化膜の厚さは，1.5... 　界面構造遷移層の厚さと構造を明らかとするために酸化膜の... **2.7.5 界面凹凸の赤外スペクトルへの影響 　シリコン／酸化膜界面には界面凹凸が存在することが知られ... 有効媒質近似の平均電場Eav と平均分極Pav は（式）と（式）... 　膜厚の異なるスペクトルのLO モードの変化は，図2.29 に示... **2.7.6 まとめ 　ULSI デバイスの高集積化の進展に伴い，デバイスの電気的な... 　酸化膜の熱処理温度依存性は，TO1 やTO2，TO4 では大きく現... 　界面構造遷移層の厚さと構造を明らかとするため，膜厚方向... *2.8 フルオロカーボン膜の誘電関数 **2.8.1 フルオロカーボン膜の赤外スペクトル 　赤外スペクトルでアモルファスフルオロカーボン（a-C:F）膜... 　これまで報告されているCF 結合に由来するピークの同定結果...

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