SiO2Etching33 をテンプレートにして作成

開始行:
[[SiO2Etch]] **2.10 X 線光電子分光法 ***原理[114] 　単色のX 線を固体表面に照射すると光電効果よって固体はイ... ***非弾性散乱平均自由行程 　X 線照射で発生する光電子は固体試料の内部では非弾性散乱... ***化学シフト 　光電子スペクトルは内殻準位の結合エネルギー差である化学... ***X 線源 　通常のX 線源は高エネルギーの電子を金属のアノード（陽極... ***バックグランド 　スペクトルのバックグランドは，非弾性散乱する電子が存在...

終了行:
[[SiO2Etch]] **2.10 X 線光電子分光法 ***原理[114] 　単色のX 線を固体表面に照射すると光電効果よって固体はイ... ***非弾性散乱平均自由行程 　X 線照射で発生する光電子は固体試料の内部では非弾性散乱... ***化学シフト 　光電子スペクトルは内殻準位の結合エネルギー差である化学... ***X 線源 　通常のX 線源は高エネルギーの電子を金属のアノード（陽極... ***バックグランド 　スペクトルのバックグランドは，非弾性散乱する電子が存在...

ページ名: