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[[SiO2Etch]] **4.3 エッチングに関わるダングリングボンドのその場観察 **4.3.1 背景 　フルオロカーボンガスプラズマを用いたシリコン酸化膜エッ... 　このエネルギーをもつイオンの役割の一つに被エッチング材... 　多くのダングリングボンドは電子スピン共鳴分光(ESR) 法に... 　Yamasaki のグループの協力を得て，エッチングプロセス中の... **4.3.2 実験 　表面のダングリングボンドは化学活性なことから大気曝露に... 図4.17 真空搬送ESR の概略図 　試料作成室には混合ガスを質量流量制御器によって分圧制御... 　イオン照射の役割を明らかとするために，プラズマ処理とは... 　分析室にはオージェ電子分光装置（Physical Electronics 社... ***試料作成 　使用した試料は，厚さ0.5mm の面方位(111) の高抵抗シリコ... 　測定の手順は，まずベアシリコンウェハを平行平板電極上に... **4.3.3 測定条件 　ESR 測定はX バンド（9-10 GHz 帯）ESR 装置（Bruker 製ESP... 　スペクトルは横軸を掃引磁場として吸収線の微分波形で示す... 　同一条件で測定した試料を別に断面透過電子顕微鏡（XTEM）... **4.3.4 a-C:F 膜のダングリングボンド 　はじめにa-C:F 膜の観察結果について報告する．結晶シリコ... 　フッ素原子は核スピンが1/2 で自然存在比が100% で171.6mT ... 　AES 測定では電子線を表面に照射するので，フッ素が表面か... 　次に表面スピン密度を求め，図4.21 に示すようにXTEM 観察... 　これほどa-C:F 膜のスピン密度が高いならば，双極子－双極... 　以上のg 値とΔ Hpp の値は大気搬送してESR 測定した結果と... **4.3.5 ダングリングボンドの大気暴露消失 　a-C:F 膜からの信号は真空中に放置中は非常に安定している... 　そこで純酸素ガスをチャンバー内に導入して，その曝露によ... 　また，初期膜厚を変えた結果，減少率に大きな変化が見られ... ***Si 基板へのイオン照射 　Si 基板へのAr イオン照射のESR スペクトルのAr 照射時間依... 　このピーク面積強度の増加が見られない原因は，a-C:F 膜中... ***Si 基板上のa-C:F 膜へのイオン照射 　a-C:F 膜へイオンが照射された時のダングリングボンドの形... 　はじめに照射時間が(C) の0.5h までの結果について説明する... • g 値は2.003 で一定である． • 照射時間の増加に伴ともないΔ Hpp は減少する． • (A) と(B) の膜厚を比較して，a-C:F 膜のエッチング速度は3... 　堆積直後のa-C:F 膜ではg 値は2.003 でΔ Hpp は6mT 程度で... 　次に照射時間が0.5h 以降の結果について説明する．この照射... • g 値が2.003 から2.005 へ徐々に変化する • Δ Hpp はほぼ1mT で一定である． • アモルファス層と結晶シリコンの界面の形態は，(A) と(B) ... • 下地Si 基板が損傷を受けた後のアモルファス相の厚さが(C) ... 　表面にはアモルファスカーボン（a-C）的な膜が残存した後に... 　XTEM 観察した各アモルファス層の厚さとESR 観察したスピン... 　電子線蒸着によるアモルファスシリコン（a-Si）薄膜では2×1... **4.3.6 SiO2 エッチング中の結果 　平行平板のエッチング装置のRF 印加電極側に100 nm SiO2 膜... //考えられる． 　ESR 測定は，X バンドでTE102 のキャビティーで測定した．(... 　エッチングをして，SiO2 が残った状態でESR 測定をした．図... //考えられた． 　引き続きエッチングを行い，ESR 測定とエッチングを繰り返... 　この結果は，Si-DB がa-C:F 膜の直下の表面近傍に局在して... //と考えられる． 　また，Si 基板に同様のエッチング条件でエッチングを行った... //とも考えられる． 　SiO2 中の欠陥生成についてイオン照射の影響を除くために，... //と考えられる． 　同一のプラズマ生成条件で，カソード設置したSiO2 膜に60s ... //ことがわかった． 　この結果，ESR 測定で見られたSi-DB 信号の生成はプラズマ... //と考えれる． 　a-C:F 膜にはC-DB が1021 cm−3 台で存在し，酸素と反応活性... //と考えられる． Ar 希釈フルオロカーボンプラズマによるSiO2 膜中のSi-DB の... //ことが考えられた． **4.3.7 まとめ 　エッチング処理後にESR 測定を行い，表面のダングリングボ... 　Si 上のa-C:F 膜を熱処理することでF を脱離させ，線幅変化... 　真空搬送電子スピン共鳴分光法をエッチングプロセスに関与... ----

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[[SiO2Etch]] **4.3 エッチングに関わるダングリングボンドのその場観察 **4.3.1 背景 　フルオロカーボンガスプラズマを用いたシリコン酸化膜エッ... 　このエネルギーをもつイオンの役割の一つに被エッチング材... 　多くのダングリングボンドは電子スピン共鳴分光(ESR) 法に... 　Yamasaki のグループの協力を得て，エッチングプロセス中の... **4.3.2 実験 　表面のダングリングボンドは化学活性なことから大気曝露に... 図4.17 真空搬送ESR の概略図 　試料作成室には混合ガスを質量流量制御器によって分圧制御... 　イオン照射の役割を明らかとするために，プラズマ処理とは... 　分析室にはオージェ電子分光装置（Physical Electronics 社... ***試料作成 　使用した試料は，厚さ0.5mm の面方位(111) の高抵抗シリコ... 　測定の手順は，まずベアシリコンウェハを平行平板電極上に... **4.3.3 測定条件 　ESR 測定はX バンド（9-10 GHz 帯）ESR 装置（Bruker 製ESP... 　スペクトルは横軸を掃引磁場として吸収線の微分波形で示す... 　同一条件で測定した試料を別に断面透過電子顕微鏡（XTEM）... **4.3.4 a-C:F 膜のダングリングボンド 　はじめにa-C:F 膜の観察結果について報告する．結晶シリコ... 　フッ素原子は核スピンが1/2 で自然存在比が100% で171.6mT ... 　AES 測定では電子線を表面に照射するので，フッ素が表面か... 　次に表面スピン密度を求め，図4.21 に示すようにXTEM 観察... 　これほどa-C:F 膜のスピン密度が高いならば，双極子－双極... 　以上のg 値とΔ Hpp の値は大気搬送してESR 測定した結果と... **4.3.5 ダングリングボンドの大気暴露消失 　a-C:F 膜からの信号は真空中に放置中は非常に安定している... 　そこで純酸素ガスをチャンバー内に導入して，その曝露によ... 　また，初期膜厚を変えた結果，減少率に大きな変化が見られ... ***Si 基板へのイオン照射 　Si 基板へのAr イオン照射のESR スペクトルのAr 照射時間依... 　このピーク面積強度の増加が見られない原因は，a-C:F 膜中... ***Si 基板上のa-C:F 膜へのイオン照射 　a-C:F 膜へイオンが照射された時のダングリングボンドの形... 　はじめに照射時間が(C) の0.5h までの結果について説明する... • g 値は2.003 で一定である． • 照射時間の増加に伴ともないΔ Hpp は減少する． • (A) と(B) の膜厚を比較して，a-C:F 膜のエッチング速度は3... 　堆積直後のa-C:F 膜ではg 値は2.003 でΔ Hpp は6mT 程度で... 　次に照射時間が0.5h 以降の結果について説明する．この照射... • g 値が2.003 から2.005 へ徐々に変化する • Δ Hpp はほぼ1mT で一定である． • アモルファス層と結晶シリコンの界面の形態は，(A) と(B) ... • 下地Si 基板が損傷を受けた後のアモルファス相の厚さが(C) ... 　表面にはアモルファスカーボン（a-C）的な膜が残存した後に... 　XTEM 観察した各アモルファス層の厚さとESR 観察したスピン... 　電子線蒸着によるアモルファスシリコン（a-Si）薄膜では2×1... **4.3.6 SiO2 エッチング中の結果 　平行平板のエッチング装置のRF 印加電極側に100 nm SiO2 膜... //考えられる． 　ESR 測定は，X バンドでTE102 のキャビティーで測定した．(... 　エッチングをして，SiO2 が残った状態でESR 測定をした．図... //考えられた． 　引き続きエッチングを行い，ESR 測定とエッチングを繰り返... 　この結果は，Si-DB がa-C:F 膜の直下の表面近傍に局在して... //と考えられる． 　また，Si 基板に同様のエッチング条件でエッチングを行った... //とも考えられる． 　SiO2 中の欠陥生成についてイオン照射の影響を除くために，... //と考えられる． 　同一のプラズマ生成条件で，カソード設置したSiO2 膜に60s ... //ことがわかった． 　この結果，ESR 測定で見られたSi-DB 信号の生成はプラズマ... //と考えれる． 　a-C:F 膜にはC-DB が1021 cm−3 台で存在し，酸素と反応活性... //と考えられる． Ar 希釈フルオロカーボンプラズマによるSiO2 膜中のSi-DB の... //ことが考えられた． **4.3.7 まとめ 　エッチング処理後にESR 測定を行い，表面のダングリングボ... 　Si 上のa-C:F 膜を熱処理することでF を脱離させ，線幅変化... 　真空搬送電子スピン共鳴分光法をエッチングプロセスに関与... ----

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