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• 堀研博士論文 へ行く。
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Memorandum

2023 Spring

• Naoyuki Iwata 岩田直幸
  • Study on bactericidal effect of tryptophan solution irradiated by electrically-neutral oxygen radicals
• Yang Liu 劉洋
  • プラズマ活性化乳酸リンゲル液（PAL）中の反応メカニズム解明とPALの遺伝毒性評価に関する研究
• 夏目祥揮
  • ダイバータプラズマ物性理解のための計測・解析技術の高度化に関する研究
  • 主査： 大野哲靖

2022 Autumn

• Tomonori Ichikawa 市川知範 (JAXA)
  • Study on the application of carbon nanowalls for culturing osteoblasts

2022 Spring

• 大森 達夫　（三菱電機）
  • 低気圧・高密度プラズマエッチング現象の解明とその高性能化に関する研究

2021 Autumn

• Quan Shi
  • Role of impurity deposition in the formation of silicon nanocone by using low energy helium plasma irradiation
  • 主査： 大野哲靖

2021 Spring

• 今村翼 (Kioxia -> Hitachi)
  • 先端LSI製造プロセスに置けるO2，CO2およびCOプラズマを利用したドライエッチングに関する研究
• Shuangyuan FENG 馮双園
  • Photocatalytic application of helium plasma induced nano-structured tungsten oxides in bulk and thin film forms
  • 主査： 大野哲靖

2020 Autumn

• Yosuke Sato 佐藤陽介 (Toshiba)
  • Study on low-temperature atmospheric pressure plasma towards elucidation of gas decomposition process
• Yoichiro Sato 佐藤陽一郎 (AGC)
  • レーザーによるガラス貫通電極の形成とその応用に関する研究
• Mitsuhiro Omura 大村光広 (Kioxia)
  • 3次元メモリデバイス製造における絶縁膜のドライエッチングに関する研究
• Toshiyuki Sasaki 佐々木俊行 (Kioxia)
  • 先端LSI製造プロセスにおける塩素含有プラズマ及びフルオロカーボンを用いた難エッチング材料のドライエッチングに関する研究

2020 Spring

• Atsushi Tanide 谷出敦 (Screen Holdings)
  • GaNの新しいプラズマ成膜及びエッチングに関する研究
  • Study on new plasma processes for growth and etching of GaN thin films
• Hiroyuki Fukumizu 福水裕之 (Kioxia)
  • アルミニウム化合物を用いた半導体デバイス製造における原子層プロセスに関する研究
  • Study on atomic layer process of Aluminum compounds for semiconductor device fabrication

2019 Autumn

• Kazunori Shinoda 篠田和典 (Hitachi)
  • 高精度等方性エッチングとその半導体デバイス製造への応用に関する研究
  • Studies on precisely controlled isotropic etching and its application to semiconductor device fabrication
• Yasuhiro Isobe 磯部康裕 (Toshiba)
  • 窒化物半導体パワーデバイスの高性能化とプラズマによる低温成膜技術に関する研究
  • Study on Performance Enhancement of GaN Power Devices and the Low Temperature Plasma Process Technologies
• Woo Young Lee
  • Tribological properties and mechanisms of ta-C coatings with filtered cathodic vacuum arc deposition at elevated temperature
  • 主査： 梅原徳次

2019 Spring

• Hideshi Miyajima 宮島秀史 ((Toshiba memory)現 Kioxia)
  • ロジックデバイスにおける低誘電率層間絶縁膜形成プロセスに関する研究
  • Study on process engineering of low-k inter-layer-dielectric film for high-speed logic devices
• Naoto Kihara 木原直人 (AGC)
  • 新規ヘルスケアデバイスのためのプラズマプロセス
  • Plasma processes for the healthcare devices
• Yusuke Fukunaga 福永裕介 (TEL宮城 就職)
  • 有機物のプラズマエッチングにおける表面反応とエッチング形状制御に関する研究
  • Study on Etched Profile Control and the Surface Reaction for Organic Material Plasma Etching
• Ranjit Borude (名大 就職→ASM Japan)
  • 錫と炭素のナノ複合材料の合成プロセスと特性評価に関する研究
  • Synthesis and modification of carbon nanocomposite employing plasma processes
• Shun Imai 今井駿 (JAXA 就職)
  • カーボンナノウォール複合材料の電気化学特性および燃料電池応用に関する研究
  • Study on electrochemical characteristics of carbon nanowalls composite materials for fuel cell applications
• Hirotsugu Sugiura 杉浦啓嗣 (ASM Japan 就職)
  • 低温プラズマの内部パラメータによるアモルファスカーボン薄膜の物性制御
  • Control of Properties of Amorphous Carbon Thin Films by Internal Parameters of a Low-Temperature Plasma
• Masakazu Tomatsu 東松真和
  • プラズマプロセスにより合成したカーボンナノウォールの表面電気化学反応に関する研究
  • Study of electrochemical surface reactions on carbon nanowalls synthesized by plasma process

2018 Autumn

• Nobuyuki Negishi 根岸伸幸(Hitachi)
  • 大規模集積回路プラズマプロセスにおける微細パターン形状制御の研究
  • Study on control of fine patterning in ULSI plasma processes
• Itsuko Sakai 酒井伊都子((Toshiba)現 Kioxia)
  • 超大規模集積回路製造用プラズマエッチングにおける加工形状の制御に関する研究
  • Study on control of etch profile in plasma etching for ultra large-scale integration fabrication

2018 Spring

• Atsushi Ando 安藤睦(東ソークォーツ　就職)
  • 高密度プラズマプロセス中におけるカーボンナノ材料合成に関する研究
  • Study on synthesis of carbon-nanomaterials in high-density media plasma processes
• Yan Zhang 張彦（チョウ）(ASM Japan 就職)
  • 大規模集積回路製造プロセスにおけるプラズマ誘起ダメージの計測と解析
  • Measurements and analysis of plasma induced damages on fabrication processes of ultralarge scale integrated circuits
• Tomoki Amano 天野智貴(Panasonic 就職)
  • 液中プラズマを用いたカーボンナノ材料の合成と燃料電池応用
  • Synthesis of carbon nanomaterials by using in-liquid plasma and its application to fuel cells
• Yohei Takahashi 髙橋洋平(Nikon)
  • 大気圧マイクロ波励起プラズマを用いた癌細胞選択的抗腫瘍効果に関する研究
  • Study on selective antitumor effect by atmospheric microwave-excited pressure plasma
• Kensuke Sasai 笹井建典(Sumitomo)
  • Study on production of high density microwave plasma with slot-excited antenna and its application to polymer surface treatment
    • 主査: 豊田浩孝

2017 Spring

• Zecheng Liu 劉沢鋮セイ（リュウ）（ASM Japan 就職）
  • 次世代パワーデバイスにおける窒化ガリウムの低ダメージ加工に向けた高温プラズマエッチングに関する研究
  • Study on plasma etching of GaN at high-temperature for damageless fabrication of next-generation power devices
• Naoyuki Kurake 倉家尚之（デンソー 就職）
  • 非平衡大気圧プラズマ照射培養液内における 生体および化学反応に関する研究
  • Study on biomedical and chemical reactions in culture medium irradiated with non-equilibrium atmospheric pressure plasmas

2016 Autumn

• Yoshinobu Ohya 大矢欣伸（TEL宮城）
  • 半導体エッチング装置における高周波と直流の重畳印加によるフルオロカーボンガスプラズマの特性及び酸化膜のエッチングメカニズムに関する研究
  • Study on Characteristics of Fluorocarbon Gas Plasma with Superposition of Radio Frequencies and Direct Current and Etching Mechanisms of SiO2 in Semiconductor Etching Equipment

2016 Spring

• Lingyn Jia 賈凌雲（ジャ） (ASM Japan 就職→Air Liquide)
  • プラズマ化学気相堆積法における水素化アモルファスカーボン膜の構造制御に関する研究
  • Study on structural control of hydrogenated amorphous carbon films using plasma-enhanced chemical vapor deposition

2015 Spring

• Yusuke Kondo 近藤祐介（東芝就職）
  • ガスデザインによるフルオロカーボンプラズマ中の活性種及び絶縁膜エッチング特性の制御
  • Studies on control of active species and design of gas molecules for etching of dielectric films in fluorocarbon and related-gas plasmas
• Takayoshi Tsutsumi 堤隆嘉（現名古屋大）
  • 周波数領域型低コヒーレンス干渉を用いた基板温度制御による原子スケールでのプラズマ加工プロセスに関する研究
  • Study on atomic-scale plasma process based on substrate-temperature control by frequency-domain low-coherence interferometry

2014 Spring

• Toshiya Suzuki 鈴木俊哉 (ASM Japan 就職)
  • ナノメータ精度加工に向けた自律制御プラズマエッチングプロセスに関する研究
  • Studies on Plasma Etching Process Based on Autonomous Control for Nano-meter Fabrication
• Hironao Shimoeda 下枝弘尚 (現JST)
  • ラジカルとの表面反応によるカーボンナノウォールの構造制御に関する研究
  • Study on structural control of carbon nanowalls by surface reaction with radicals
• Lu Yi 盧翌（ロ）(現名古屋大→東芝)
  • 次世代窒化ガリウム系デバイスのためのプラズマ励起有機金属化学気相成長法に関する研究
  • Study on plasma-enhanced metal-organic chemical vapor deposition for future gallium nitride devices
• Hyung Jun Cho 趙亨峻（チョウ） (現名古屋大→東芝)
  • 電子デバイス応用に向けたカーボンナノウォールのエッジ処理を用いた電気特性ならびに構造の制御
  • Edge termination effects on electrical characteristics of carbon nanowalls (CNWs) for their electronic device applications
• 林和夫
  • 中・高気圧放電の基礎と応用機器の性能向上に関する研究

2013 Spring

• Yusuke Abe 阿部祐介 (現東工大→産総研→カネカ)
  • プラズマ化学気相堆積法を用いたシリコン薄膜の作製およびラジカルの挙動に関する研究
  • Studies on fabrication of silicon thin films using plasma enhanced chemical vapor deposition and behaviors of radicals
• Takuya Takeuchi 竹内拓也 (イビデン就職)
  • 反応性ビーム照射を用いたプラズマエッチングプロセス中のフォトレジストの反応過程に関する研究
  • Studies on reaction kinetics of photoresist for plasma etching processes by using reactive beam irradiation
• Yudai Miyawaki 宮脇雄大 (名古屋大→EVG)
  • 次世代ULSI製造プロセスにおける新規フルオロカーボンガスを用いた高選択絶縁膜エッチングとそのメカニズムに関する研究
  • Study on highly selective dielectric film etching using new alternative cases and its etching mechanism for a next generation ULSI fabrication process
• Hitoshi Watanabe 渡邊均 (アイシン精機就職)
  • バイオナノ応用に向けたカーボンナノウォールの表面機能化に関する研究
  • Studies on surface functionalization of carbon nanowalls for their bio-nano-applications
• Takehiro Hiraoka 平岡丈弘 (富士機械製造就職)
  • 超短パルスレーザー技術を用いた材料プロセスに向けた実時間・高感度モニタリング手法に関する研究
  • Studies on real-time and high sensitive monitoring methods for material processing using ultrashort-pulse laser techniques

2012 Autumn

• Shang Chen 陳尚（チン） (ASM Japan就職)
  • 窒化ガリウムの成長及び不活性化における原子状ラジカルの影響に関する研究
  • Studies on the effects of radicals on growth and passivation in gallium nitride
• Yoshiyuki Iwata 岩田義幸 (イビデン)
  • 高密度プリント配線板技術のための非平衡大気圧プラズマの表面処理への応用に関する研究

2012 Spring

• Hiroshi Yamamoto 山本洋 (東芝→ナインシグマ)
  • 低誘電率材料の微細パターン制御および低ダメージプラズマエッチングプロセスに関する研究
  • Studies on plasma etching process of low dielectrics for fine pattern profile control with less damage
• Arkadiusz Malinowski　(Global foundries就職)
  • ラジカル表面反応解析技術の開発と先進CMOS形状シミュレーションへの応用に関する研究
  • Study of radical kinetic behavior investigation technique and its application in ultimate CMOS TCAD topography simulation
• Masanaga Fukasawa 深沢正永 (ソニー)
  • 大規模集積回路における水素に起因したプラズマ誘起ダメージ及びプロセス変動制御に関する研究
• Hideo Tsuboi 坪井秀夫 (アルバック)
  • 磁気中性線放電プラズマの生成・制御と微細加工への応用に関する研究

2011 Autumn

• Kei Hattori 服部圭 (東芝)
  • 半導体デバイス製造における高精度Al合金エッチングとその環境調和型システムの開発

2011 Spring

• Hirotoshi Inui 乾裕俊 (ゼオン就職)
  • 高密度大気圧非平衡プラズマを用いた表面処理に関する研究
  • Studies on surface treatments using nonequilibrium high density atmospheric pressure plasmas
• Tsuyoshi Yamaguchi 山口剛 (イビデン就職)
  • 反応性プラズマの新プロセス技術と気相診断のための先進レーザ応用
  • Advanced laser applications for new process technologies and diagnostics of reactive plasmas
• Toshitsugu Takahasi 高橋俊次 (片桐エンジ)
  • 将来の超大規模集積回路製造における絶縁膜のための環境調和型プラズマエッチング装置に関する研究

2010 Spring

• Saburo Uchida　内田三郎
  • 大規模集積回路プロセスにおける低誘電率膜のエッチング基礎反応に関する研究
  • Studies on fundamental etching reactions of low dielectric film in ultra-large-scale integration circuit processes
• Chang Sung Moon　文昶盛（ムン） (Samsung就職)
  • マイクロエレクトロニクス製造におけるエッチング及び成膜技術のための先進プラズマプロセシングに関する研究
  • Studies on advanced plasma processing for etching and deposition technologies in fabrication of microelectronics
• Shingo Kondo 近藤真吾 (デンソー就職)
  • プラズマ化学気相堆積法により形成されたカーボンナノウォールの成長メカニズムに関する研究
  • Studies on growth mechanism of carbon nanowalls formed by plasma-enhanced chemical vapor deposition
• Masaru Izawa 伊澤勝 (日立ハイテク)
  • プラズマエッチングにおける加工形状制御メカニズムの研究

2009 Spring

• Wakana Takeuchi 竹内和歌奈 (名古屋大学就職→愛工大准教授)
  • プラズマCVDを用いたカーボンナノウォールの作製及びそれらの電気特性に関する研究
  • Study on synthesis of carbon nanowalls using plasma enhanced chemical vapor deposition and their electrical properties

2008 Autumn

• 伊藤治彦
  • 低圧誘導結合型プラズマを用いたダイヤモンド形成と炭素原子の挙動に関する研究
  • Study on diamond formation and behaviors of carbon atoms in low-pressure inductively coupled plasma
• Tokuhisa Oiwa 大岩徳久 (東芝→東京エレクトロン)
  • 超大規模集積回路製造における絶縁膜のプラズマエッチングに関する研究

2008 Spring

• Masahiro Iwasaki　岩崎正博 (トヨタ就職)
  • 非平衡大気圧リモートプラズマを用いたエッチングと表面改質プロセッシングに関する研究
  • Studies on etching and surface modification processing using nonequilibrium atmospheric-pressure remote plasmas
• Yasuhiro Hara 原安寛 (現　産総研)
  • 低エネルギービーム源の開発とダメージレス表面改質プロセスへの応用 --Development of low energy beam source and application to damageless surface modification processes

2007 Spring

• Keigo Takeda 竹田圭吾 (名古屋大学就職→名城大准教授)
  • 反応性プラズマ中の活性種の診断およびナノ・マイクロ加工への応用に関する研究
  • Studies on diagnostics of activated species in reactive plasmas and their applications to nano and micro fabrications
• Tomohiro Okumura 奥村智洋（パナソニック）
  • 高密度プラズマ源の開発とエッチングプロセスへの応用に関する研究

2006 Spring

• Mikio Nagai　永井幹雄 (後藤(中部大)，堀研，菅井，伊藤(和歌山大))
  • プラズマ診断に基づいた環境調和型エッチングプロセスに関する研究
  • Studies on environmentally harmonic etching process based on plasma diagnostics

2005 Autumn

• Kazuyasu Nishikawa 西川和康　
  • 低圧・高密度プラズマによるULSIエッチング技術の一研究
  • A study of ULSI etching technology using low-pressure high-density plasma

2005 Spring

• Koji Yamakawa 山川晃司（片桐エンジ）
  • マイクロ波励起非平衡大気圧プラズマ源の開発と材料プロセスへの応用に関する研究
  • Studies on development of microwave excited non-equilibrium atmospheric pressure plasma source and its application to material processing

2004 Spring

• Takayuki Ohta 太田貴之 (後藤研，河野(教授)，堀，伊藤(和歌山大)→名城大学教授)
  • VHF容量結合プラズマ中の中性ラジカルにおける励起周波数の効果に関する研究
  • Studies on effect of excitation frequency on neutral radicals in very high frequency capacitively coupled plasma

2003 Spring

• Hisao Nagai 永井久雄 (松下就職)
  • 高密度プラズマを用いた低誘電率膜プロセスに関する研究
  • Studies on low dielectric film process using high-density plasma
• Chiharu Takahashi 高橋千春（NTT）
  • 電子および光に関する先端的デバイス作製における電子サイクロトロン共鳴プラズマの応用

2002 Spring

• Kazushi Fujita 藤田和司（富士通就職）
  • Studies on plasma process employing environmentally benign technique(環境調和型プラズマプロセスに関する研究)

2001 Spring

• Seigou Takashima 高島成剛（当時日本レーザー→PLACIA）
  • Studies on Development of Measurement Technique of Absolute Densities of Atomic Species in Reactive Plasma Process Using Vacuum Ultraviolet Absorption Spectroscopy with Microdischarge Hollow Cathode Lamp(マイクロ放電ホローカソードランプを用いた真空紫外吸収分光法による反応性プラズマプロセス中の原子種の絶対密度計測技術の開発に関する研究)
• 村田和哉
  • 高密度シラン・水素プラズマによる微結晶シリコン薄膜の成長に関する研究
  • Studies on Microcrystalline Silicon Film Growth in High-Density Silane and Hydrogen Plasma
• 大田裕之
  • PECVD法による高誘電率ゲート絶縁膜用極薄シリコン窒化膜形成に関する研究
  • Studies on Ultrathin Silicon Nitride Film Formation for High-k Gate Dielectrics Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

1997 Spring

• 池田雅延
  • ラジカル注入法を用いたプラズマ中のラジカル制御とダイヤモンド膜形成に関する研究
  • Studies on control of radicals in plasma and synthesis of diamond film employing radical injection technique

1995 Spring

• 西沢典彦
  • ファイバループミラーを用いた直交位相振幅スクイズド光の生成とその特性に関する研究
  • Studies on generation and characterization of quadrature squeezed light with fiber loop mirror

1992 Spring

• 伊藤昌文
  • レーザー近接距離センサを用いた基準位置計測法に関する研究
• 板橋直志
  • 赤外半導体レーザー吸収分光法を用いたシラングロー放電プロセッシングプラズマ中のSiH[x]ラジカルに関する研究
  • Studies of the SiH[x] radicals in a silane glow-discharge processing plasma using infrared diode laser absorption spectroscopy

1987 Spring

• 平松美根男
  • 希ガス混合希釈を用いた横方向放電励起XeClエキシマレーザの研究
  • Studies on the transverse discharge-pumped XeCl excimer laser using rare mixture diluent

1986 Spring

• 堀勝
  • X線リソグラフィにおけるプラズマプロセスに関する研究
  • Studies on plasma processes for X-ray lithography