SiO2Etching21 をテンプレートにして作成

開始行:
[[SiO2Etch]] *第1 章　緒言 *1.1 序 **1.1.1 情報処理について 　情報処理とは，ある目的を達成するために必要な制御を導く... 　体系を，還元主義的に，究極の要素＝物質の集合と捉え，ミ... 　情報を元にシステムを構成する着想は，コンピュータで実現... 　ここで演算とは，1936 年にチューリングにより入力と出力と... 　そして，そのスイッチには高速で低エネルギーで動作して，... **1.1.2 半導体素子の歴史 　半導体素子の最初の着想は1874 年のBraun の金属／半導体コ... 　しかしながら，DRAM では電源とリフレッシュ（記憶保持）動... 　この薄膜のトンネル酸化膜には電荷保持状態では絶縁膜であ... **1.2 MOS デバイスの微細化と高集積化 　前述のMOS トランジスタを回路素子とする回路の集積度は，... 　旧くは集積回路で使われる基本素子はバイポ－ラトランジス... **1.3 MOSFET 動作原理とスケーリング 　半導体産業がULSI の集積度の向上に注力してきた背景にはス... 　MOS トランジスタの動作原理について説明する[10–12]．MOS ... （式） で近似される．ここで，μeff は実効移動度，Cox はゲート酸化... （式） でよく近似される．ここで，m はボディー効果係数として （式） であり，Si は基板シリコンの誘電率，Na は不純物濃度，ΨB ... 　以上，デバイス性能因子を上げるためには，半導体素子製造... 1. ゲート作製におけると微細構造の寸法制御， 2. ゲート酸化膜作製における極薄膜の厚さ制御，ならびに 3. 界面の物性制御 が重要な課題である． **1.4 半導体素子製造プロセス 　半導体素子製造はスケーリング則によって牽引されており，... 　MOSFET の製造方法について説明する．まず，シリコン基板上... 　この後をプロセスの後工程（BEOL; Back end of line）と呼... 　このように絶縁膜のエッチング加工は欠かせない．コンタク... **1.5 プラズマエッチング 　半導体素子製造においてウェハ面上に一様に成膜された材料... 　このプラズマエッチングの垂直加工性の実現のメカニズムは... が開口した加工面（の底部）のみが反応進行する．その結果，... **1.5.1 シリコンエッチング 　材料には電気伝導性の違いによって半導体，金属，絶縁物の... 　Si を例に取れば，F やCl などのハロゲン元素と反応してハ... 　導電性材料に用いられる金属にはアルミがあり，Cl などでエ... **1.5.2 シリコン酸化膜エッチング 　絶縁に用いられる誘電体材料にはシリコン酸化膜（SiO2）が... に進行する非常に複雑な化学反応を利用しており，加工形状や... 　1975 年にHeinecke によってシリコン酸化膜の選択エッチン... CFx + SiOs + M+ → SiOCFs + M → SiFx↑ + COx↑ + M といった化学反応が表面上で進行する．ここで，s は表面化学... 　SiO2 の選択比を得るために，Si のエッチングを抑制する必... **1.5.3 高密度プラズマとガス種の背景 　昨今，被加工ウェハの大口径化にともない，高密度プラズマ... 　この高密度プラズマの使用にあわせて様々なフルオロカーボ... **1.6 エッチング反応の理解 　1970 年半ばから始まったプラズマエッチングだが，このプロ... 1. 気相中での電子衝突誘起反応（プラズマ化学）， 2. 表面への活性種の輸送， 3. 気相中化学活性種の表面への付着， 4. 表面反応， 5. 表面反応生成物の脱離， 6. 表面へのイオンの照射， 7. 反応生成物の輸送， 8. ガスの排気， 9. 壁への再付着， の9 つのポイントに着目されている．大別して，気相反応と表... **1.6.1 フルオロカーボンプラズマの理解 　現在シリコン酸化膜のエッチングでは，希ガス希釈されるフ... 　Ar の希釈効果には，Ar のイオン化エネルギーは15.7eV と高... 　このように気相の理解は進んできた．しかしながら，シリコ... ング表面反応の物理化学的な解析が必要であった． **1.6.2 気相化学種の表面への輸送 　プラズマで生成した化学種のうち，表面に入射するラジカル... （式） で与えられる．ここで，n はラジカル密度，ν はラジカルの熱... （式） で与えられる．ここで，Ji はイオン電流，e は電荷素量，ne ... 　典型的なプラズマエッチング装置では，イオンとラジカル入... *1.7 エッチング表面解析 **1.7.1 背景～a-C:F 膜厚とエッチング速度 　フルオロカーボンプラズマによるシリコン酸化膜エッチング... 　Oehrlein らは，主にX 線光電子分光（XPS; X-ray photo ele... 　Oehrlein のグループのStandaert らは定常a-C:F 膜の存在に... 　1999 年にSchaepkens らによって一度堆積したa-C:F 膜の除... 　以上のように，多くの研究者が，このフルオロカーボンプラ... **1.7.2 形状発展シミュレータ 　1990 年前半には，スタンフォード大学のMcVittie らのグル... ズマのSiO2 エッチングに関わる反応レートのパラメータについ... 　ここまでのシミュレータの発展が気相中の化学活性種の生成...

終了行:
[[SiO2Etch]] *第1 章　緒言 *1.1 序 **1.1.1 情報処理について 　情報処理とは，ある目的を達成するために必要な制御を導く... 　体系を，還元主義的に，究極の要素＝物質の集合と捉え，ミ... 　情報を元にシステムを構成する着想は，コンピュータで実現... 　ここで演算とは，1936 年にチューリングにより入力と出力と... 　そして，そのスイッチには高速で低エネルギーで動作して，... **1.1.2 半導体素子の歴史 　半導体素子の最初の着想は1874 年のBraun の金属／半導体コ... 　しかしながら，DRAM では電源とリフレッシュ（記憶保持）動... 　この薄膜のトンネル酸化膜には電荷保持状態では絶縁膜であ... **1.2 MOS デバイスの微細化と高集積化 　前述のMOS トランジスタを回路素子とする回路の集積度は，... 　旧くは集積回路で使われる基本素子はバイポ－ラトランジス... **1.3 MOSFET 動作原理とスケーリング 　半導体産業がULSI の集積度の向上に注力してきた背景にはス... 　MOS トランジスタの動作原理について説明する[10–12]．MOS ... （式） で近似される．ここで，μeff は実効移動度，Cox はゲート酸化... （式） でよく近似される．ここで，m はボディー効果係数として （式） であり，Si は基板シリコンの誘電率，Na は不純物濃度，ΨB ... 　以上，デバイス性能因子を上げるためには，半導体素子製造... 1. ゲート作製におけると微細構造の寸法制御， 2. ゲート酸化膜作製における極薄膜の厚さ制御，ならびに 3. 界面の物性制御 が重要な課題である． **1.4 半導体素子製造プロセス 　半導体素子製造はスケーリング則によって牽引されており，... 　MOSFET の製造方法について説明する．まず，シリコン基板上... 　この後をプロセスの後工程（BEOL; Back end of line）と呼... 　このように絶縁膜のエッチング加工は欠かせない．コンタク... **1.5 プラズマエッチング 　半導体素子製造においてウェハ面上に一様に成膜された材料... 　このプラズマエッチングの垂直加工性の実現のメカニズムは... が開口した加工面（の底部）のみが反応進行する．その結果，... **1.5.1 シリコンエッチング 　材料には電気伝導性の違いによって半導体，金属，絶縁物の... 　Si を例に取れば，F やCl などのハロゲン元素と反応してハ... 　導電性材料に用いられる金属にはアルミがあり，Cl などでエ... **1.5.2 シリコン酸化膜エッチング 　絶縁に用いられる誘電体材料にはシリコン酸化膜（SiO2）が... に進行する非常に複雑な化学反応を利用しており，加工形状や... 　1975 年にHeinecke によってシリコン酸化膜の選択エッチン... CFx + SiOs + M+ → SiOCFs + M → SiFx↑ + COx↑ + M といった化学反応が表面上で進行する．ここで，s は表面化学... 　SiO2 の選択比を得るために，Si のエッチングを抑制する必... **1.5.3 高密度プラズマとガス種の背景 　昨今，被加工ウェハの大口径化にともない，高密度プラズマ... 　この高密度プラズマの使用にあわせて様々なフルオロカーボ... **1.6 エッチング反応の理解 　1970 年半ばから始まったプラズマエッチングだが，このプロ... 1. 気相中での電子衝突誘起反応（プラズマ化学）， 2. 表面への活性種の輸送， 3. 気相中化学活性種の表面への付着， 4. 表面反応， 5. 表面反応生成物の脱離， 6. 表面へのイオンの照射， 7. 反応生成物の輸送， 8. ガスの排気， 9. 壁への再付着， の9 つのポイントに着目されている．大別して，気相反応と表... **1.6.1 フルオロカーボンプラズマの理解 　現在シリコン酸化膜のエッチングでは，希ガス希釈されるフ... 　Ar の希釈効果には，Ar のイオン化エネルギーは15.7eV と高... 　このように気相の理解は進んできた．しかしながら，シリコ... ング表面反応の物理化学的な解析が必要であった． **1.6.2 気相化学種の表面への輸送 　プラズマで生成した化学種のうち，表面に入射するラジカル... （式） で与えられる．ここで，n はラジカル密度，ν はラジカルの熱... （式） で与えられる．ここで，Ji はイオン電流，e は電荷素量，ne ... 　典型的なプラズマエッチング装置では，イオンとラジカル入... *1.7 エッチング表面解析 **1.7.1 背景～a-C:F 膜厚とエッチング速度 　フルオロカーボンプラズマによるシリコン酸化膜エッチング... 　Oehrlein らは，主にX 線光電子分光（XPS; X-ray photo ele... 　Oehrlein のグループのStandaert らは定常a-C:F 膜の存在に... 　1999 年にSchaepkens らによって一度堆積したa-C:F 膜の除... 　以上のように，多くの研究者が，このフルオロカーボンプラ... **1.7.2 形状発展シミュレータ 　1990 年前半には，スタンフォード大学のMcVittie らのグル... ズマのSiO2 エッチングに関わる反応レートのパラメータについ... 　ここまでのシミュレータの発展が気相中の化学活性種の生成...

ページ名: