• 1st Symposium

October 5, 1979

Aspects of Dry Processing in VLSI

R. S. Horwath (IBM Corporation)

1

複合ドライエッチング

松尾誠太郎(武蔵野電気通信研究所)

13

Al膜のプラズマエッチング

堀池靖浩、山崎 隆、柴垣正弘(東京芝浦電気)

21

単結晶シリコンのドライエッチング

久礼得男、橋本哲一(日立製作所)

31

プラズマエッチングの反応過程

西沢潤一*、早坂伸夫*、佐藤利雄(*東北大学、半導体研究振興会)

39

リアクティブイオンエッチング表面のダメージ層

堀池靖浩、田沼幸男、奥村勝彌、飯塚尚和(東京芝浦電気)

49

プラズマエッチングおよびプラズマデポジション

阿部東彦(三菱電機)

59

プラズマCVD法による窒化シリコン膜の性質

向 喜一郎、平岩 篤、原田征喜(日立製作所)

71

プラズマ流輸送方法によるデポジションの反応機構

槌本 尚(日立製作所)

75

ジョセフソン素子のトンネル酸化膜形成過程と素子特性

鈴木秀雄、今村 健、蓮尾信也、太宰浩一(富士通研究所)

83

GaAsのプラズマ陽極酸化機構

菅野卓雄、山崎王義(東京大学)

93