Aspects of Dry Processing in VLSI
1
複合ドライエッチング
13
Al膜のプラズマエッチング
21
単結晶シリコンのドライエッチング
31
プラズマエッチングの反応過程
39
リアクティブイオンエッチング表面のダメージ層
49
プラズマエッチングおよびプラズマデポジション
59
プラズマCVD法による窒化シリコン膜の性質
71
プラズマ流輸送方法によるデポジションの反応機構
75
ジョセフソン素子のトンネル酸化膜形成過程と素子特性
83
GaAsのプラズマ陽極酸化機構
93