Patent のバックアップ(No.7)


FrontPage

特許 

米国14件 韓国4件 日本68件 (2026.7)

米国特許

その他海外特許

国内特許

公開中・査定無し

  1. 特許(米国)公開US2009-0204252)
    • Substrate processing method and apparatus, method for manufacturing semiconductor device and storage medium
      • Hidenori Miyoshi, Kenji Ishikawa, Hideki Tateishi, Masakazu Hayashi, Nobuyuki Nishikawa
  2. 特許公開(中国)・101127295
    • Substrate processing method and apparatus, fabrication process of a semiconductor device
      • Hidenori Miyoshi, Kenji Ishikawa, Yukio Takigawa, Yoshihiro Nakata, and Hideki Tateishi
  3. 特許公開(台湾)・200741969
    • Substrate processing method and apparatus, fabrication process of a semiconductor device
      • Hidenori Miyoshi, Kenji Ishikawa, Yukio Takigawa, Yoshihiro Nakata, and Hideki Tateishi
  4. 特開2025-75660 (2025/5/15) 特願2023-186975 (2023/10/31)
    • ドライエッチング方法
      • 石川 健治, グエン ティ トゥイ ガー, 赤木 大二郎, 岡東 健
  5. 特開2025-133636 (2025/9/11) 特願2024-31718 (2024/3/1)
    • エッチング方法
      • 石川 健治, トラン トラン グエン, 西海 雅巳, 林 久貴
  6. 特開2025-167738 (2025/11/7) 特願2024-72610 (2024/4/26)
    • エッチング装置
      • 谷出 敦,中村 昭平,石川 健治
  7. WO2025/173152 特表2026-507766 (2026.3.6) 特願2025-538572 (2024.2.15)
    • エッチング処理方法、処理方法および半導体製造システム
      • グエン ティ トゥイ ガー, 山口 欣秀, 堀 勝, 石川 健治

Copyright Kenji Ishikawa (c) 2009-2025 Center for Low-temperature plasma sciences, Nagoya University.