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特許　

米国 14 件,　韓国・台湾・中国 17 件,　日本 68 件 (2026.7)

米国特許

• 1. 特許（米国）US 5,595,916号 (1997/1/21) 出願 US 08/219550 (1994/3/29) 日本 5-070527, 5-070528 (1993/3/29)
  • Silicon oxide film evaluation method
    • Shuzo Fujimura, Hiroki Ogawa, Kenji Ishikawa, and Carlos Inomata
• 2. 特許（米国）・US7,612,400号 (2009/11/3) 公開 US 20080121858-A1 (2008/3/29) 出願 US 11/944847 (2007/11/26)
  • MIM device and electronic apparatus
    • Teruo Kurahashi, Hideharu Shido, Kenji Ishikawa, Takeo Nagata, Yasuyoshi Mishima, and Yukie Sakita
• 3. 特許（米国）・US7,679,144号 (2010/3/16) 公開 US 20080061445-A1 (2008/3/13) PCT/JP2005/008642 出願 US 11/938441 (2007/11/12)
  • Semiconductor device and method for manufacturing the same
    • Hiroshi Kudo, and Kenji Ishikawa
• 4. 特許（米国）・US7,709,394号 (2010/5/4) 公開 US 20070224725-A1 (2007/9/27) 出願 US 11/687738 (2007/3/19) 日本 2006-086569, 2007-045748
  • Substrate processing method and apparatus, fabrication process of a semiconductor device
    • Hidenori Miyoshi, Kenji Ishikawa, Yukio Takigawa, Yoshihiro Nakata, and Hideki Tateishi
• 5. 特許（米国）US7,968,466号 (2011/6/28) 公開 US 20080124933-A1 (2008/3/29) 出願 US 11/945547 (2007/11/27)
  • Fabrication process of a semiconductor device
    • Kenji Ishikawa, Hideharu Shido, Takeo Nagata, Teruo Kurahashi, and Yasuyoshi Mishima
• 6. 特許（米国）US9,773,667号 (2017/9/26) 公開 US 20150140788-A1 (2015/3/21) 出願 US 14/548,121 (2014/11/19) 日本 2013-239590 (2013/11/20)
  • Apparatus and method for producing group III nitride semiconductor device and method for producing semiconductor wafer
    • Masaru Hori, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Osamu Oda
• 7. 特許（米国）US10,325,781号 (2019/6/18) 公開 US 20180076051 A1 (2018/3/15) 出願　US 15/698,823 (2017/9/8) 日本 2016-176198 (2016/9/9)
  • Etching method and etching apparatus
    • Kazunori Shinoda, Satoshi Sakai, Masaru Izawa, Nobuya Miyoshi, Hiroyuki Kobayashi, Yutaka Kouzuma, Kenji Ishikawa, Masaru Hori
• 8. 特許（米国）US10,418,254号 (2019/9/17) 公開 US 20190067032 A1 (2019/2/28) 出願　US 15/906,862 (2018/2/27) 日本 2017-159969 (2017/8/23)
  • Etching method and etching apparatus
    • Kazunori Shinoda, Naoyuki Kofuji, Hiroyuki Kobayashi, Nobuya Miyoshi, Kohei Kawamura, Masaru Izawa, Kenji Ishikawa, Masaru Hori
• 9. 特許（米国）US10,481,169号 (2019/11/19) 公開 US 20180246129 A1 (2018/8/30) 出願　US 15/906,032 (2018/2/27) 日本 2017-036997 (2017/2/28)
  • Diagnostic method and biomarker for lifestyle disease
    • Koji Uchida, Takahiro Shibata, Kenji Ishikawa, Oi Lun Helena Li, Tadashi Matsushita, Ryosuke Kikuchi, Junzo Ukai
• 10. 特許（米国）US11,261,091号 (2022/3/1) 公開 US 20210053830 (2021/2/25) PCT/JP2018/047640 WO2019/131667A1 出願 US 16/957890 (2018/12/25)
  • Carbon nanosheet and manufacturing method therefor
    • Masaru Hori, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa
• 11. 特許（米国）US12,237,174号 (2025/2/25) PCT/JP2021/016333 WO2022/224412 (2022/10/27) 出願 US 17/642356 (2021/4/22)
  • Etching method
    • Kazunori Shinoda, Hirotaka Hamamura, Kenji Maeda, Kenetsu Yokogawa, Kenji Ishikawa, Masaru Hori
• 12. 特許（米国）US12,444,618号 (2025/10/14) PCT/JP2021/038955 WO2023/067767 (2023/4/27) 出願 US 17/909006 (2021/10/21)
  • Etching method and etching apparatus
    • Thi-Thuy-Nga Nguyen, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, Kazunori Shinoda, Hirotaka Hamamura
• 13. 特許（米国）US12,518,975号 (2026/1/6) PCT/JP2022/019384 WO2023/209982 (2023/11/2) 出願 US 18/277146 (2022/4/28)
  • Etching method
    • Thi-Thuy-Nga Nguyen, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, Kazunori Shinoda, Hirotaka Hamamura
• 14. 特許（米国）US12,652,977号 (2026/6/9) PCT/JP2022/003711 WO2023/148797 (2023/8/10) 出願 US 18/025442 (2022/2/1)
  • Etching method
    • Kazunori Shinoda, Hirotaka Hamamura, Kenji Maeda, Kenetsu Yokogawa, Thi-Thuy-Nga Nguyen, Kenji Ishikawa, Masaru Hori

その他海外特許

• 1. 特許（韓国）・KR100847917B1 (2008/7/22) KR1020070029914A (2007/3/27)
  • Substrate processing method and apparatus, fabrication process of a semiconductor device
    • Hidenori Miyoshi, Kenji Ishikawa, Yukio Takigawa, Yoshihiro Nakata, and Hideki Tateishi
• 2. 特許（台湾）・TW200741969A (2007/11/1) TW096109573A (2007/3/20)
  • Substrate processing method and apparatus, fabrication process of a semiconductor device
    • Hidenori Miyoshi, Kenji Ishikawa, Yukio Takigawa, Yoshihiro Nakata, and Hideki Tateishi
• 3. 特許（韓国）・KR100915360B1 (2009/9/3) KR1020070122289A (2007/11/28)
  • Fabrication process of a semiconductor device
    • Kenji Ishikawa, Hideharu Shido, Takeo Nagata, Teruo Kurahashi, and Yasuyoshi Mishima
• 4. 特許（韓国）・KR100944192B1 (2009/2/26) KR1020070121853A (2007/11/28)
  • MIM device and electronic apparatus
    • Teruo Kurahashi, Hideharu Shido, Kenji Ishikawa, Takeo Nagata, Yasuyoshi Mishima, and Yukie Sakita
• 5. 特許（台湾）・TWI648786B (2019/1/21) TW106129551A (2017/8/30)
  • Etching method and etching apparatus
    • Kazunori Shinoda, Satoshi Sakai, Masaru Izawa, Nobuya Miyoshi, Hiroyuki Kobayashi, Yutaka Kouzuma, Kenji Ishikawa, Masaru Hori
• 6. 特許（韓国）・KR102027195B1 (2019/10/1) KR1020170109136A (2017/8/29)
  • Etching method and etching apparatus
    • Kazunori Shinoda, Satoshi Sakai, Masaru Izawa, Nobuya Miyoshi, Hiroyuki Kobayashi, Yutaka Kouzuma, Kenji Ishikawa, Masaru Hori
• 7. 特許（台湾）・TWI661484B (2019/6/1) TW107106284A (2018/2/26)
  • Etching method and etching apparatus
    • Kazunori Shinoda, Naoyuki Kofuji, Hiroyuki Kobayashi, Nobuya Miyoshi, Kohei Kawamura, Masaru Izawa, Kenji Ishikawa, Masaru Hori
• 8. 特許（韓国）・KR102102264B1 (2020/4/21) KR1020180019185A (2018/2/19)
  • Etching method and etching apparatus
    • Kazunori Shinoda, Naoyuki Kofuji, Hiroyuki Kobayashi, Nobuya Miyoshi, Kohei Kawamura, Masaru Izawa, Kenji Ishikawa, Masaru Hori
• 9. 特許（韓国）・KR102330144B1 (2021/11/22) KR20150058024A (2015/5/28) KR1020140159905A (2014/11/17)
  • Apparatus and method for producing group III nitride semiconductor device and method for producing semiconductor wafer
    • Masaru Hori, Hiroki Kondo, Kenji Ishikawa, Osamu Oda
• 10. 特許（台湾）・TWI812063B (2023/8/11) TW111109154A (2022/3/14)
  • Etching method
    • Kazunori Shinoda, Hirotaka Hamamura, Kenji Maeda, Kenetsu Yokogawa, Kenji Ishikawa, Masaru Hori
• 11. 特許（台湾）・TWI857522B (2024/10/1) TW112109379A (2023/3/14)
  • Etching method
    • Thi-Thuy-Nga Nguyen, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, Kazunori Shinoda, Hirotaka Hamamura
• 12. 特許（台湾）・TWI861545B (2024/11/11) TW111130566A (2022/8/15)
  • Etching method and etching apparatus
    • Thi-Thuy-Nga Nguyen, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, Kazunori Shinoda, Hirotaka Hamamura
• 13. 特許（台湾）・TWI871572B (2025/2/1) TW112103289A (2023/1/31)
  • Etching method
    • Kazunori Shinoda, Hirotaka Hamamura, Kenji Maeda, Kenetsu Yokogawa, Thi-Thuy-Nga Nguyen, Kenji Ishikawa, Masaru Hori
• 14. 特許（韓国）・KR102815089B1 (2025/6/5) KR1020237027105A (2022/4/28)
  • Etching method
    • Thi-Thuy-Nga Nguyen, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, Kazunori Shinoda, Hirotaka Hamamura
• 15. 特許（韓国）・KR102906920B1 (2026/1/5) KR1020237005523A (2022/2/1)
  • Etching method
    • Kazunori Shinoda, Hirotaka Hamamura, Kenji Maeda, Kenetsu Yokogawa, Thi-Thuy-Nga Nguyen, Kenji Ishikawa, Masaru Hori
• 16. 特許（韓国）・KR102709624B1 (2026/9/26) KR1020227027604A (2021/10/21)
  • Etching method and etching apparatus
    • Thi-Thuy-Nga Nguyen, Kenji Ishikawa, Masaru Hori, Kazunori Shinoda, Hirotaka Hamamura

国内特許

• 1. 特許第3,326,717号 (2002/7/12) 特開2000-228522 (2000/8/15) 特願平11-29505 (1999/2/8)
  • 半導体装置の製造方法
    • 中西俊郎、石川健治
• 2. 特許第3,326,718号 (2002/7/12) 特開2000-269483 (2000/9/29) 特願平11-75022 (1999/3/19)
  • 半導体装置の製造方法
    • 中西俊郎、石川健治
• 3. 特許第3,452,629号 (2003/7/18) 特開平6-341952 (1994/12/13) 特願平6-49019 (1994/3/18 優先 1993/3/29)
  • シリコン酸化膜の評価方法及び装置、ならびに半導体装置の製造方法及び装置
    • 石川健治、藤村修三、小川洋輝、猪股カルロス
• 4. 特許第3,670,336号 (2005/4/22) 特開平8-264614 (1996/10/11) 特願平7-68371 (1995/3/27)
  • シリコン基板の評価方法及び装置、シリコン酸化膜の評価方法及び装置、並びに半導体装置の製造方法及び装置
    • 石川健治、藤村修三、堀池靖浩、押田澄子、鈴木腕
• 5. 特許第3,816,440号 (2006/6/16) 特開2003-203957 (2003/7/18) 特願2002-380456 (200212/27 優先 1993/3/29)
  • シリコン酸化膜の評価方法及び半導体装置の製造方法
    • 石川健治、藤村修三、小川洋輝、猪股カルロス
• 6. 特許第3,844,770号 (2006/8/25) 特開2005-229125 (2005/8/25) 特願2005-70606 (2005/3/14)
  • シリコン基板の評価方法及び装置、シリコン酸化膜の評価方法及び装置、並びに半導体装置の製造方法及び装置
    • 石川健治、藤村修三、堀池靖浩、押田澄子、鈴木腕
• 7. 特許第4,283,189号 (2009/3/27) 特開2006-73714 (2006/3/16) 特願2004-254136 (2004/9/1)
  • 半導体装置の製造方法
    • 林雅一、石川健治
• 8. 特許第4,364,669号 (2009/8/28) 特開2005-236144 (2005/9/2) 特願2004-45252 (2004/2/20)
  • ドライエッチング方法
    • 石川健治、林雅一、柳下皓男、西川伸之
• 9. 特許第4,489,059号 (2010/4/9) 特開2006-332690 (2006/12/7) 特願2006-195659 (2006/7/18)
  • シリコン基板の評価方法及び装置、シリコン酸化膜の評価方法及び装置、並びに半導体装置の製造方法及び装置
    • 石川健治、藤村修三、堀池靖浩、押田澄子、鈴木腕
• 10. 特許第4,810,355号 (2011/8/26) 特開2008-53456 (2008/3/6) 特願2006-228125 (2006/8/24)
  • 処理ガス供給方法、基板処理方法、半導装置の製造方法、処理ガス供給装置、基板処理装置、および記録媒体
    • 石川健治、三好秀典、立石秀樹、林雅一、西川伸之
• 11. 特許第4,828,451号 (2011/9/22) 特開2007-294879 (2007/11/8) 特願2007-45748 (2007/2/26 優先 2006/3/27)
  • 基板処理方法、半導体装置の製造方法および基板処理装置
    • 三好秀典、石川健治、瀧川幸雄、中田義弘、立石秀樹
• 12. 特許第4,846,721号 (2011/10/21) PCT/WO2006/120739 (2006/11/16) 特願2007-526729 (2005/5/11)
  • Semiconductor device and method for manufacturing the same
    • Hiroshi Kudo, and Kenji Ishikawa
• 13. 特許第4,863,752号 (2011/11/18) 特開2007-273891 (2007/10/18) 特願2006-100583 (2006/3/31)
  • 半導体装置および半導体装置の製造方法
    • 工藤寛、石川健治
• 14. 特許第5,055,980号 (2012/8/10) 特開2008-140793 (2008/6/19) 特願2006-322463 (2006/11/29)
  • 電子装置の製造方法および半導体装置の製造方法
    • 石川健治、志度秀治、永田武雄、倉橋輝雄、三好康由
• 15. 特許第5,114,968号 (2012/10/26) 特開2008-205168 (2008/9/4) 特願2007-39191 (2007/2/20)
  • 半導体装置及びその製造方法
    • 石川健治
• 16. 特許第5,200,369号 (2013/2/22) 特開2008-1409077 (2008/6/19) 特願2006-324420 (2006/11/30)
  • 電子装置およびその製造方法
    • 倉橋輝雄、志度秀治、石川健治、永田武雄、三好康由、崎田幸恵
• 17. 特許第5,259,125号 (2013/5/2) 特開2008-78618 (2008/4/3) 特願2007-149614 (2007/6/5 優先 2006/8/24)
  • 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
    • 三好秀典、石川健治、立石秀樹、林雅一、西川伸之
• 18. 特許第5,266,632号 (2013/5/17) 特開2008-140790 (2008/6/19) 特願2006-322457 (2006/11/29)
  • ＭＩＭ素子および電子装置
    • 倉橋輝雄、志度秀治、石川健治、永田武雄、三好康由、崎田幸恵
• 19. 特許第5,481,547号 (2014/2/21) 特開2013-33996 (2013/2/14) 特願2012-232362 (2012/10/19)
  • 金属付着物の除去方法、基板処理装置、および記録媒体
    • 三好秀典、石川健治、立石秀樹、林雅一、西川伸之
• 20. 特許第5,516,587号 (2014/4/11) PCT/WO2011/018822 (2013/1/17) 公表2009-003862 特願2011-526643 (2001/8/11)
  • 半導体装置の製造方法
    • 石川健治
• 21. 特許第5,700,397号 (2015/2/27) 特開2012-035364 (2012/2/23) 特願2010-177455 (2010/8/6)
  • ナノ微粒子を坦持したナノ構造体及びその製造方法
    • 堀勝，関根誠，石川健治，近藤博基，鈴木俊哉
• 22. 特許第5,754,579号 (2015/6/5) 特開2012-038568 (2012/2/23) 特願2010-177459 (2010/8/6)
  • イオン源
    • 節原裕一，石川健治，堀勝，江部明憲，田昭治
• 23. 特許第5,888,674号 (2016/2/26) 特開2013-179126 (2013/9/9) 特願2012-41355 (2012/2/28)
  • エッチング装置およびエッチング方法およびクリーニング装置
    • 堀勝, 石川健治, 田嶋聡美, 林俊雄
• 24. 特許第6,010,839号 (2016/9/30) 特開2013-172657 (2013/9/5) 特願2012-37940 (2012/2/23)
  • 滅菌表示装置および滅菌装置および青果物表皮の殺菌方法
    • 堀勝，石川健治，伊藤昌文，太田貴之，橋爪博司
• 25. 特許第6,021,131号 (2016/10/14) PCT/WO2014/141664 (2014/9/18) 特願2015-505280 (2014/3/7 優先 2013/3/10)
  • エッチング方法およびエッチング装置
    • 林俊雄, 田嶋聡美, 石川健治, 堀勝
• 26. 特許第6,028,970号 (2016/10/28) 特開2014-45049 (2014/3/13) 特願2012-185977 (2012/8/26)
  • 半導体装置の製造方法及びエッチング方法
    • 堀勝，石川健治、関根誠、小澤隆弘、加納浩之
• 27. 特許第6,099,277号 (2017/3/3) 再公表WO2013/128905　(2013/9/6) PCT/WO2013/128905 (2013/9/6) 特願2014-502035 (2013/2/26 優先 2012/2/27)
  • 抗腫瘍水溶液および抗癌剤とそれらの製造方法
    • 堀勝, 水野正明, 吉川史隆, 梶山広明, 内海史, 中村香江, 石川健治, 竹田圭吾, 田中宏昌, 加納浩之
• 28. 特許第6,304,645号 (2018/3/16) 特開2015-76143 (2015/4/20) 特願2013-209748 (2013/10/6)
  • プラズマ発生装置
    • 堀勝、石川健治、加納浩之
• 29. 特許第6,328,898号 (2018/4/27) 特開2015-62210 (2015/4/2) 特願2013-196296 (2013/9/22)
  • Ⅲ族窒化物半導体のエッチング方法およびⅢ族窒化物半導体装置の製造方法
    • 堀勝, 関根誠, 小田修, 石川健治
• 30. 特許第6,381,111号 (2018/8/10) 特開2016-3184 (2016/1/22) 特願2014-122088 (2014/6/13)
  • 抗腫瘍水溶液および抗癌剤とそれらの製造方法
    • 堀勝, 水野正明, 吉川史隆, 梶山広明, 内海史, 中村香江, 石川健治, 竹田圭吾, 田中宏昌, 加納浩之
• 31. 特許第6,406,811号 (2018/9/28) 特開2015-99866 (2015/5/28) 特願2013-239590 (2013/11/20)
  • Ⅲ族窒化物半導体装置の製造装置および製造方法ならびに半導体ウェハの製造方法
    • 堀勝, 近藤 博基, 小田 修, 石川健治
• 32. 特許第6,516,482号 (2019/4/26) 特開2016-134611 (2016/7/25) 特願2015-10727 (2015/1/22)
  • ＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造装置および製造方法ならびに半導体ウエハの製造方法
    • 堀 勝, 小田 修, 関根 誠, 近藤 博基, 石川健治
• 33. 特許第6,519,039号 (2019/5/10) 特開2015-218245 (2015/12/7) 特願2014-102455 (2014/5/16)
  • タンパク質膜の製造方法
    • 池原 譲、池原 早苗、榊田 創、秋元 義弘、堀 勝、石川健治
• 34. 特許第6,736,004号 (2020/07/17) PCT/WO2016/103695 (2017/6/30) 特願2016-565922 (2015/12/23 優先 2014/12/24)
  • 抗癌剤および輸液とそれらの製造方法ならびに抗癌物質
    • 水野 正明、堀 勝、吉川 史隆、梶山 広明、内海 史、中村 香江、石川 健治、竹田 圭吾、田中 宏昌、加納 浩之
• 35. 特許第6,758,681号 (2020/9/4) PCT/WO2018/207667 (2018/11/15) 特願2019-517572 (2018/4/27 優先 2017/5/10)
  • 農作物の生産方法
    • 堀 勝, 橋爪 博司, 田中 宏昌, 水野 正明, 秋山 真一, 石川 健治
• 36. 特許第6,772,117号 (2020/10/2) 特開2019-40932 (2019/3/14) 特願2017-159969 (2017/8/23)
  • エッチング方法およびエッチング装置
    • 篠田 和典，小藤 直行，小林 浩之，三好 信哉，川村 剛平，伊澤 勝，石川 健治，堀 勝
• 37. 特許第6,817,752号 (2021/1/14) 特開2018-41886 (2018/3/25) 特願2016-176198 (2016/9/9)
  • エッチング方法およびエッチング装置
    • 篠田 和典，酒井 哲，伊澤 勝，三好 信哉，小林 浩之，高妻 豊，石川 健治，堀 勝
• 38. 特許第6,822,669号 (2021/1/12) PCT/WO2017/110184 (2017/6/29) 特願2017-557740 (2016/9/23 優先 2015/12/24)
  • 細胞捕捉フィルター
    • 木原 直人, 小口 亮平, 江口 創, 堀 勝, 田中 宏昌, 石川 健治, 馬場 嘉信, 湯川 博, 小野島 大介, 長谷 哲成, 久保山 大貴
• 39. 特許第6,837,234号 (2021/2/12) 特開2018-111079 (2018/7/19) 特願2017-4109 (2017/1/13)
  • 脂質二重膜構造体とその製造方法
    • 堀 勝, 戸波卓也, 石川 健治, 近藤博基, 関根誠
• 40. 特許第6,840,326号 (2021/2/19) 特開2016-150923 (2016/8/22) 特願2015-29974 (2015/2/18)
  • プラズマ殺菌水溶液とその製造方法および殺菌方法
    • 堀 勝, 石川 健治, 橋爪 博司, 伊藤 昌文, 太田 貴之
• 41. 特許第7,002,247号 (2022/1/4) 特開2019-038913 (2019/3/14) 特願2017-160976 (2017/8/14)
  • 透明樹脂の製造方法及び組立体の製造方法
    • 近藤 真悟, 青木 孝司, 堀 勝, 石川 健治
• 42. 特許第7,002,248号 (2022/1/4) 特開2019-038914 (2019/3/14) 特願2017-160977 (2017/8/14)
  • 樹脂部材の表面改質方法及び組立体の製造方法
    • 近藤 真悟, 堀 勝, 石川 健治
• 43. 特許第7,002,249号 (2022/1/4) 特開2019-038915 (2019/3/14) 特願2017-160978 (2017/8/14)
  • 樹脂部材の表面改質方法及び組立体の製造方法
    • 近藤 真悟, 堀 勝, 石川 健治
• 44. 特許第7,018,204号 (2022/2/2) PCT/WO2018/066248 (2018/4/12) 特願2018-543768 (2017/8/23 優先 2016/10/8)
  • シュウ酸の製造方法
    • 石川 健治, 堀 勝, 倉家 尚之, 田中 宏昌
• 45. 特許第7,076,782号 (2022/5/20) 特開2019-210491 (2019/12/12) 特願2018-104735 (2018/5/31)
  • パルスパワー印加装置および液体の処理方法
    • 清水 尚博, 堀 勝, 石川 健治
• 46. 特許第7,085,735号 (2022/6/9) PCT/WO2018/088559 (2018/5/17) 特願2018-550298 (2017/11/13 優先 2016/11/14)
  • 農作物の生産方法
    • 橋爪 博司, 堀 勝, 石川 健治, 田中 宏昌, 秋山 真一, 水野 正明, 田 昭治, 山川 晃司, 中井 義浩
• 47. 特許第7,097,543号 (2022/6/30) 特開2020-018277 (2020/2/6) 特願2018-147257 (2018/8/3)
  • イネの生産方法
    • 堀 勝, 橋爪 博司, 水野 正明, 北野 英己, 前島 正義, 松本 省吾, 石川 健治, 田中 宏昌, 湯浅 元気
• 48. 特許第7,141,036号 (2022/9/13) 特開2020-018278 (2020/2/6) 特願2018-147258 (2018/8/3)
  • イネの生産方法
    • 堀 勝, 橋爪 博司, 水野 正明, 北野 英己, 前島 正義, 松本 省吾, 石川 健治, 田中 宏昌, 湯浅 元気
• 49. 特許第7,154,524号 (2022/10/7) 特開2020-070244 (2020/5/7) 特願2018-203292 (2018/10/29)
  • 腹腔内洗浄溶液の製造方法
    • 吉川 史隆, 堀 勝, 水野 正明, 豊國 伸哉, 梶山 広明, 芳川 修久, 中村 香江, 田中 宏昌, 石川 健治, 神藤 高広, 丹羽 陽大, 東田 明洋
• 50. 特許第7,173,040号 (2022/11/8) WO2019/093231(2019/5/16) PCT/JP2018/040776 特願2019-552757 (2018/11/1) 特願2017-214508 (2017/11/7)
  • フロートガラスの製造方法、およびフロートガラスの製造装置
    • 中尾 圭介，小高 秀文，林 泰夫，東 誠二，堀 勝，石川 健治
• 51. 特許第7,199,053号 (2022/12/22) 特開2020-70243 (2020/5/7) 特願2018-203291 (2018/10/29)
  • 創傷治癒促進溶液の製造方法
    • 吉川 史隆，堀 勝，水野 正明，豊國 伸哉，亀井 讓，蛯沢 克己，梶山 広明，芳川 修久，中村 香江，田中 宏昌，石川 健治，神藤 高広，丹羽 陽大，東田 明洋
• 52. 特許第7,205,817号 (2023/1/6) 特開2018-57375 (2018/4/12) 特願2017-191454 (2017/9/29 優先 2016/9/30)
  • 幹細胞様細胞の調製方法
    • 片岡 洋祐，大和 正典，田村 泰久，中野 真行，堀 勝，石川 健治，池原 譲
• 53. 特許第7,274,167号 (2023/5/8) 特開2020-136584 (2020/8/31) 特願2019-30913 (2019/2/22)
  • エッチングガス及びそれを用いたエッチング方法
    • 西海 雅巳, 中村 新吾, 石川 健治, 堀 勝
• 54. 特許第7,274,747号 (2023/5/9) 特開2021-98624 (2021/7/1) 特願2019-230432 (2019/12/20)
  • カーボンナノウォールとその製造方法および気相成長装置
    • 堀 勝, 石川 健治, 清水 尚博, 市川 知範
• 55. 特許第7,296,093号 (2023/6/14) 特開2020-125223 (2020/8/20) 特願2019-18092 (2019/2/4)
  • 窒化炭素膜の製造方法および窒化炭素被覆体の製造方法
    • 堀 勝, 石川 健治, 関根 誠, 堤 隆嘉, 福永 裕介, 近藤 博基
• 56. 特許第7,307,907号 (2023/7/5) 特開2020-132968 (2020/8/31) 特願2019-29844 (2019/2/21)
  • ｃＢＮ膜の製造方法
    • 石川 健治, 堀 勝, 山川 晃司, 山本 博之, 田 昭治, 岩田 昌尚, 高島 成剛
• 57. 特許第7,307,952号 (2023/7/5) WO2019/131667 (2019/7/4) PCT/JP2018/047640(2018/12/25) 特願2019-562044 特願2017-248408 (2017/12/25)
  • カーボンナノシートとその製造方法
    • 堀 勝，近藤 博基，石川 健治
• 58. 特許第7,325,126号 (2023/08/03)  特開2022-149156 (2022/10/6) 特願2021-51178 (2021/3/25)
  • 処理装置及び処理方法
    • 清水 尚博, ボルデ ランジット, 石川 健治, 堀 勝, 細江 広記, 伊能 悟, 井上 陽介
• 59. 特許第7,356,732号 (2023/09/27) 特開2022-149155 (2022/10/6) 特願2021-51177 (2021/3/25)
  • 処理装置及び処理方法
    • 清水 尚博, ボルデ ランジット, 石川 健治, 堀 勝, 細江 広記, 伊能 悟, 井上 陽介
• 60. 特許第7,371,881号 (2023/10/23) 特開2019-163241 (2019/9/26) 特願2019-043192 (2019/3/8)
  • 抗癌剤および抗癌物質および輸液
    • 吉川 史隆, 堀 勝, 水野 正明, 田中 宏昌, 石川 健治
• 61. 特許第7,523,553号 (2024/07/18) WO2023/067767 特表2023-551348 (2023/12/8) 特願2022-547242 (2021/10/21)
  • エッチング方法およびエッチング装置
    • グエン ティ トゥイ ガー, 石川 健治, 堀 勝, 篠田 和典, 濱村 浩孝
• 62. 特許第7,535,175号 (2024/8/6) WO2023/148797 PCT/JP2022/003711 (2023/8/10) 特願2023-511863 (2022/2/1)
  • エッチング方法
    • 篠田 和典, 濱村 浩孝, 前田 賢治, 横川 賢悦, グエン ティ トゥイ ガー, 石川 健治, 堀 勝
• 63. 特許第7,562,110号 (2024/09/27) 特開2022-13006 (2022/1/18) 特願2020-115248 (2020/7/2)
  • Ｓｎ粒子の製造方法
    • 堀 勝, グエン ガー, 石川 健治, 堤 隆嘉
• 64. 特許第7,634,106号 (2025/02/12) 特表2024-520971 (2024/5/28) 特願2023-54887 (2022/4/28)
  • エッチング方法
    • ティ トゥイ ガー グエン, 石川 健治, 堀 勝, 篠田 和典, 濱村 浩孝
• 65. 特許第7,672,929号 (2025/04/25) 特開2023-38032 (2023/3/16) 特願2021-144918 (2021/9/6)
  • 汚れ除去装置
    • 堀 勝, 堤 隆嘉, 石川 健治, 阪本 芳弘
• 66. 特許第7,744,651号 (2025/09/17) 特開2023-71118 (2023/5/22) 特願2021-183750 (2021/11/10)
  • 酸素ラジカル活性化水溶液生成装置および殺菌方法
    • 堀 勝, 橋爪 博司, 石川 健治, 岩田 直幸, 伊藤 昌文
• 67. 特許第7,875,389号 (2026/06/09) PCT/JP2024/007672 (2025/09/04) 特願2025-538418 (2024/03/01)
  • エッチング方法 
    • 篠田　和典, グエン　ティ　トゥイ　ガー, 三浦　勝哉, 高妻　豊, 石川　健治, 堀　勝
• 68. 特許第7,895,461号 (2026/07/16) 特開2025-78818 (2025/5/20) 特願2025-36307 (2025/3/7)
  • 汚れ除去装置
    • 堀 勝, 堤 隆嘉, 石川 健治, 阪本 芳弘

公開中

1. 特開2025-75660 (2025/5/15) 特願2023-186975 (2023/10/31)
   • ドライエッチング方法
     • 石川 健治, グエン ティ トゥイ ガー, 赤木 大二郎, 岡東 健
2. 特開2025-133636 (2025/9/11) 特願2024-31718 (2024/3/1)
   • エッチング方法
     • 石川 健治, トラン トラン グエン, 西海 雅巳, 林 久貴
3. 特開2025-167738 (2025/11/7) 特願2024-72610 (2024/4/26)
   • エッチング装置
     • 谷出 敦，中村 昭平，石川 健治
4. WO2025/173152 特表2026-507766 (2026.3.6) 特願2025-538572 (2024.2.15)
   • エッチング処理方法、処理方法および半導体製造システム
     • グエン ティ トゥイ ガー, 山口 欣秀, 堀 勝, 石川 健治