現場の即戦力シリーズ 改訂版 はじめての半導体ドライエッチング技術 2020年10月24日 野尻一男 著
1 章 半導体集積回路の発展とドライエッチング技術
1.1 ドライエッチングの概要 1.2 ドライエッチングにおける評価パラメータ 1.3 LSI の高集積化にドライエッチング技術が果たす役割
2 章 ドライエッチングのメカニズム
2.1 プラズマの基礎 2.2 イオンシースおよびイオンシース内でのイオンの挙動 2.3 エッチングプロセスの組み立て方
3 章 各種材料のエッチング
3.1 ゲートエッチング 3.2 SiO2 エッチング 3.3 配線エッチング 3.4 まとめ
4 章 ドライエッチング装置
4.1 ドライエッチング装置の歴史 4.2 バレル型プラズマエッチャー 4.3 CCP プラズマエッチャー 4.4 マグネトロンRIE 4.5 ECR プラズマエッチャー 4.6 ICP プラズマエッチャー 4.7 ドライエッチング装置の実例 4.8 静電チャック
5 章 ドライエッチングダメージ
5.1 Si 表層部に導入されるダメージ 5.2 チャージアップダメージ
6 章 新しいエッチング技術
6.1 Cu ダマシンエッチング 6.2 Low-k エッチング 6.3 ポーラスLow-k を用いたダマシン配線 6.4 メタルゲート/High-k エッチング 6.5 FinFET エッチング 6.6 マルチパターニング 6.7 3D NAND/DRAM 用高アスペクト比ホールエッチング 6.8 3D IC 用エッチング技術
7 章 アトミックレイヤーエッチング(ALE)
7.1 ALE の原理 7.2 ALE の特性 7.3 ALE シナジー 7.4 EPC およびスパッタ閾値を支配するパラメータ 7.5 SiO2 ALE 7.6 まとめ
8 章 ドライエッチング技術の今後の課題と展望
8.1 ドライエッチングにおける技術革新 8.2 今後の課題と展望 8.3 エンジニアとしての心構え