エッチング - ishikawa

現場の即戦力シリーズ　改訂版はじめての半導体ドライエッチング技術　2020年10月24日　野尻一男　著

1 章　半導体集積回路の発展とドライエッチング技術

   1.1　ドライエッチングの概要／    1.2　ドライエッチングにおける評価パラメータ／    1.3　LSI の高集積化にドライエッチング技術が果たす役割

2 章　ドライエッチングのメカニズム

   2.1　プラズマの基礎／    2.2　イオンシースおよびイオンシース内でのイオンの挙動／    2.3　エッチングプロセスの組み立て方

3 章　各種材料のエッチング

   3.1　ゲートエッチング／    3.2　SiO2 エッチング／    3.3　配線エッチング／    3.4　まとめ

4 章　ドライエッチング装置

   4.1　ドライエッチング装置の歴史／    4.2　バレル型プラズマエッチャー／    4.3　CCP プラズマエッチャー／    4.4　マグネトロンRIE／    4.5　ECR プラズマエッチャー／    4.6　ICP プラズマエッチャー／    4.7　ドライエッチング装置の実例／    4.8　静電チャック

5 章　ドライエッチングダメージ

   5.1　Si 表層部に導入されるダメージ／    5.2　チャージアップダメージ

6 章　新しいエッチング技術

   6.1　Cu ダマシンエッチング／    6.2　Low-k エッチング／    6.3　ポーラスLow-k を用いたダマシン配線／    6.4　メタルゲート/High-k エッチング／    6.5　FinFET エッチング／    6.6　マルチパターニング
   6.7　3D NAND/DRAM 用高アスペクト比ホールエッチング／    6.8　3D IC 用エッチング技術

7 章　アトミックレイヤーエッチング（ALE）

   7.1　ALE の原理／    7.2　ALE の特性／    7.3　ALE シナジー／    7.4　EPC およびスパッタ閾値を支配するパラメータ／    7.5　SiO2 ALE／    7.6　まとめ

8 章　ドライエッチング技術の今後の課題と展望

   8.1　ドライエッチングにおける技術革新／    8.2　今後の課題と展望／    8.3　エンジニアとしての心構え

プラズマ半導体プロセス工学　成膜とエッチング入門　内田老鶴圃（ろっかくほ）2003年初版

市川幸美／佐々木敏明／堤井信力　著

目　次
第1章　プラズマと半導体プロセス

　1. 半導体デバイス作製へのプラズマの応用／2. プラズマを用いた成膜とエッチングの基礎

第2章　半導体プロセス用プラズマの基礎

　1. 直流放電／2. 高周波放電

第3章　半導体プロセス装置の概要

　1. 真空系統／2. 反応室／3. 基板温度の制御／4. ガス系統とガスの安全対策

第4章　プラズマCVD技術

　1. 原理／2. 実験例―シリコン系薄膜の堆積―

第5章　薄膜の評価方法

　1. 評価項目と測定方法／2. 膜厚／3. 屈折率／4. 吸収係数／5. バンドギャップ／6. 導電率／7. FTIR／8. ラマン散乱／9. X線回折／10. 欠陥密度

第6章　プラズマエッチング技術

　1. 化学的なエッチングと物理的なエッチング／2. エッチングに要求される特性／3. エッチング装置とエッチングガス／4. エッチング機構／5. エッチングの制御パラメータ／6. プラズマによるダメージ／7. エッチング終点検出

第7章　付章―プロセシングプラズマを理解するための基礎理論―

　1. 気体の状態方程式と分子数密度／2. 処理表面への中性粒子の入射粒束／3. ポテンシャル曲線とFranck -Condonの原理／4. Boltzmann輸送方程式／5. 衝突断面積と平均自由行程，衝突周波数，反応速度定数／6. 両極性拡散／7. デバイ長とプラズマ周波数／8. プラズマ電位と浮動電位

プラズマ/プロセスの原理第2版 2010年01月丸善出版

第１章　序論

　１．１　材料プロセス／　１．２　プラズマとシース／　１．３　放電／　１．４　記号と単位

第２章　プラズマの基礎方程式と平衡状態

　２．１　はじめに／　２．２　電磁場方程式，電流，電圧の式／　２．３　保存の方程式／　２．４　平衡状態の性質

第３章　原子との衝突

　３．１　基本的概念／　３．２　衝突運動論／　３．３　弾性散乱／　３．４　非弾性衝突／　３．５　分布内の平均化と表面効果

第４章　プラズマ運動論

　４．１　粒子の基本的な働き／　４．２　磁場がないときのプラズマ運動／　４．３　ガイド中心運動／　４．４　磁化プラズマの運動論／　４．５　磁化プラズマ内の波動／　４．６　波動診断

第５章　拡散と輸送

　５．１　基本的関係／　５．２　拡散方程式の解／　５．３　低圧力にける密度解／　５．４　磁場を通しての拡散／　５．５　多極磁場による閉じ込め

第６章　直流シース

　６．１　基本的概念と基礎方程式／　６．２　ボームのシース基準／　６．３　高電圧シース／　６．４　一般化したシース形成基準／　６．５　衝突がある高電圧シース／　６．６　静電探針によるプラズマ診断

第７章　化学反応と平衡状態

　７．１　はじめに／　７．２　エネルギとエンタルピー／　７．３　エントロピーとギブスの自由エネルギ／　７．４　化学的平衡状態／　７．５　均一系の平衡状態

第８章　分子との衝突

　８．１　はじめに／　８．２　分子構造／　８．３　電子と分子の衝突／　８．４　重い粒子の衝突／　８．５　反応レートと詳細バランス／　８．６　光放射と放射エネルギ測定（アクチノメトリー）

第９章　化学運動論と表面プロセス

　９．１　基本反応／　９．２　気相運動論／　９．３　表面プロセス／　９．４　表面運動

第10章　放電中の粒子バランスおよびエネルギ・バランス

　10．１　はじめに／　10．２　電気的正性プラズマの平衡状態／　10．３　電気的負性プラズマの平衡状態／　10．４　近似的な電気的負性平衡状態／　10．５　電気的負性放電に関する実験とシミュレーション／　10．６　パルス放電

第11章　容量性放電

　11．１　一様密度モデル／　11．２　不均一密度モデル／　11．３　実験と模擬計算／　11．４　非対称放電／　11．５　低周波数のｒｆシース／　11．６　電極におけるイオン衝撃エネルギ／　11．７　磁気強化放電／　11．８　整合回路網と電力測定

第12章　誘導性放電

　12．１　高密度，低圧力放電／　12．２　他の動作領域／　12．３　平面上コイル／　12．４　ヘリカル共振器放電

第13章　電磁波加熱放電

　13．１　電子サイクロトロン共振（ＥＣＲ）放電／　13．２　ヘリコン放電／　13．３　表面波放電

第14章　直流放電

　14．１　グロー放電の定性的特性／　14．２　陽光柱の解析／　14．３　カソード領域の解析／　14．４　ホロー・カソード放電／　14．５　平面マグネトロン放電／　14．６　電離ＰＶＤ

第15章　エッチング

　15．１　エッチングの要求事項とプロセス／　15．２　エッチング運動論／　15．３　ハロゲン原子によるシリコンのエッチング／　15．４　他のエッチング系／　15．５　基板のチャージング

第16章　デポジションとイオン注入

　16．１　はじめに／　16．２　プラズマ支援形のＣＶＤ／　16．３　スパッタ・デポジション／　16．４　プラズマ界浸形イオン注入

第17章　ダストがあるプラズマ

　17．１　現象の定性的説明／　17．２　粒子のチャージングと放電の平衡状態／　17．３　微粒子の平衡状態／　17．４　ダスト粒子の形成と成長／　17．５　物理現象と診断／　17．６　微粒子の除去あるいは生産

第18章　放電の運動論

　18．１　基本的概念／　18．２　局部的運動／　18．３　非局部的運動／　18．４　準線形拡散と統計加熱／　18．５　表皮深さ層内のエネルギ拡散／　18．６　放電の運動論的モデル化

付録
　付録Ａ　衝突運動／　付録Ｂ　衝突積分／　付録Ｃ　可変移動度モデルの拡散解

Last-modified: 2024-03-29 (金) 16:02:22