SiO2Etch の変更点

#author("2021-02-06T18:58:02+09:00","default:ishikawa","ishikawa")
#author("2021-02-06T18:59:23+09:00","default:ishikawa","ishikawa")
[[Memorandum]]

[[博士論文>https://ci.nii.ac.jp/naid/500000350118]] 著者名：石川健治
-フルオロカーボンプラズマによるシリコン酸化膜エッチング表面反応解析に関する研究
-東北大学 博士 (工学) 甲第10868号 (2006年3月24日) [[要旨(pdf)>https://tohoku.repo.nii.ac.jp/?action=repository_uri&item_id=96985&file_id=18&file_no=1]]

--1. [[はじめに>SiO2Etching21]], 
--[[序論>SiO2Etching2]], 
---[[序論>SiO2Etching2]], 
--2. 解析手法の基礎 [[第2章>SiO2Etching3]], 
--赤外分光手法 [[第2.7章(IR)>SiO2Etching31]], 
--電子スピン共鳴手法 [[第2.9章(ESR)>SiO2Etching32]], 
--X線光電子分光 [[第2.10章(XPS)>SiO2Etching33]], 
--実時間表面解析手法 [[第2.11章(real time IR)>SiO2Etching34]],  
---赤外分光手法 [[第2.7章(IR)>SiO2Etching31]], 
---電子スピン共鳴手法 [[第2.9章(ESR)>SiO2Etching32]], 
---X線光電子分光 [[第2.10章(XPS)>SiO2Etching33]], 
---実時間表面解析手法 [[第2.11章(real time IR)>SiO2Etching34]],  
--3. ビーム実験 [[第3.1章(背景)>SiO2Etching4]], 
--イオンによるエッチング収率と表面変性 [[第3.3章>SiO2Etching41]], 
---イオンによるエッチング収率と表面変性 [[第3.3章>SiO2Etching41]], 
--4. エッチング中その場観察：表面化学種（赤外分光） [[第4.1章>SiO2Etching5]], 
--未結合手（電子スピン共鳴） [[第4.3章>SiO2Etching51]], 
---未結合手（電子スピン共鳴） [[第4.3章>SiO2Etching51]], 
--5. [[結論>SiO2Etching6]], 
--s. [[付録>SiO2Etching7]]
-Surface reactions during silicon oxide etching using fluorocarbon plasma

-(English translation) Surface reactions during silicon oxide etching using fluorocarbon plasma
--[[Abstract>SiO2Etching]],
--1. [[Introduction>SiO2Etching81]]
--2. [[Materials and Methods>SiO2Etching82]]
--3. [[Plasma-surface interaction>SiO2Etching83]]
--4. [[In situ Real time Analysis of etching surface>SiO2Etching84]]
--5. [[Conclusion>SiO2Etching85]]
--s. [[Supplementary materials>SiO2Etching86]]

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