エッチング のバックアップ(No.1)

Memorandum

現場の即戦力シリーズ　改訂版 はじめての半導体ドライエッチング技術　2020年10月24日　野尻一男　著

1 章　半導体集積回路の発展とドライエッチング技術

   1.1　ドライエッチングの概要
   1.2　ドライエッチングにおける評価パラメータ
   1.3　LSI の高集積化にドライエッチング技術が果たす役割

2 章　ドライエッチングのメカニズム

   2.1　プラズマの基礎
   2.2　イオンシースおよびイオンシース内でのイオンの挙動
   2.3　エッチングプロセスの組み立て方

3 章　各種材料のエッチング

   3.1　ゲートエッチング
   3.2　SiO2 エッチング
   3.3　配線エッチング
   3.4　まとめ

4 章　ドライエッチング装置

   4.1　ドライエッチング装置の歴史
   4.2　バレル型プラズマエッチャー
   4.3　CCP プラズマエッチャー
   4.4　マグネトロンRIE
   4.5　ECR プラズマエッチャー
   4.6　ICP プラズマエッチャー
   4.7　ドライエッチング装置の実例
   4.8　静電チャック

5 章　ドライエッチングダメージ

   5.1　Si 表層部に導入されるダメージ
   5.2　チャージアップダメージ

6 章　新しいエッチング技術

   6.1　Cu ダマシンエッチング
   6.2　Low-k エッチング
   6.3　ポーラスLow-k を用いたダマシン配線
   6.4　メタルゲート/High-k エッチング
   6.5　FinFET エッチング
   6.6　マルチパターニング
   6.7　3D NAND/DRAM 用高アスペクト比ホールエッチング
   6.8　3D IC 用エッチング技術

7 章　アトミックレイヤーエッチング（ALE）

   7.1　ALE の原理
   7.2　ALE の特性
   7.3　ALE シナジー
   7.4　EPC およびスパッタ閾値を支配するパラメータ
   7.5　SiO2 ALE
   7.6　まとめ

8 章　ドライエッチング技術の今後の課題と展望

   8.1　ドライエッチングにおける技術革新
   8.2　今後の課題と展望
   8.3　エンジニアとしての心構え