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• エッチング へ行く。
  • 1 (2024-03-29 (金) 14:29:36)

#author("2024-03-29T14:29:36+09:00","default:ishikawa","ishikawa")
[[Memorandum]]

現場の即戦力シリーズ　改訂版 はじめての半導体ドライエッチング技術　2020年10月24日　野尻一男　著

1 章　半導体集積回路の発展とドライエッチング技術
    1.1　ドライエッチングの概要
    1.2　ドライエッチングにおける評価パラメータ
    1.3　LSI の高集積化にドライエッチング技術が果たす役割
2 章　ドライエッチングのメカニズム
    2.1　プラズマの基礎
    2.2　イオンシースおよびイオンシース内でのイオンの挙動
    2.3　エッチングプロセスの組み立て方
3 章　各種材料のエッチング
    3.1　ゲートエッチング
    3.2　SiO2 エッチング
    3.3　配線エッチング
    3.4　まとめ
4 章　ドライエッチング装置
    4.1　ドライエッチング装置の歴史
    4.2　バレル型プラズマエッチャー
    4.3　CCP プラズマエッチャー
    4.4　マグネトロンRIE
    4.5　ECR プラズマエッチャー
    4.6　ICP プラズマエッチャー
    4.7　ドライエッチング装置の実例
    4.8　静電チャック
5 章　ドライエッチングダメージ
    5.1　Si 表層部に導入されるダメージ
    5.2　チャージアップダメージ
6 章　新しいエッチング技術
    6.1　Cu ダマシンエッチング
    6.2　Low-k エッチング
    6.3　ポーラスLow-k を用いたダマシン配線
    6.4　メタルゲート/High-k エッチング
    6.5　FinFET エッチング
    6.6　マルチパターニング
    6.7　3D NAND/DRAM 用高アスペクト比ホールエッチング
    6.8　3D IC 用エッチング技術
7 章　アトミックレイヤーエッチング（ALE）
    7.1　ALE の原理
    7.2　ALE の特性
    7.3　ALE シナジー
    7.4　EPC およびスパッタ閾値を支配するパラメータ
    7.5　SiO2 ALE
    7.6　まとめ
8 章　ドライエッチング技術の今後の課題と展望
    8.1　ドライエッチングにおける技術革新
    8.2　今後の課題と展望
    8.3　エンジニアとしての心構え